[发明专利]柔性半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种柔性半导体装置，其特征在于，具有：

金属层，其具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；

金属氧化膜，其是构成所述金属层的金属的金属氧化膜，形成在所述金属层的表面区域；以及

半导体层，其隔着所述金属氧化膜形成在所述栅极电极之上，

在所述金属层的表面区域中，局部形成有未被所述金属氧化膜覆盖的非覆盖部位，

经由所述非覆盖部位，所述源极电极和所述半导体层之间以及所述漏极电极和所述半导体层之间相互电连接。

2.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述金属层由阀金属形成，

所述金属氧化膜是所述阀金属的阳极氧化膜。

3.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极在其厚度方向具有锥形形状。

4.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极的厚度是4μm～约20μm。

5.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述金属层由第1金属层和第2金属层构成，

第1金属层含有阀金属，第2金属层含有与该阀金属不同的金属，并且

所述金属氧化膜是所述阀金属的阳极氧化膜。

6.根据权利要求5所述的柔性半导体装置，其特征在于，

在所述第1金属层和所述第2金属层之间形成有中间层。

7.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

在所述金属氧化膜之上形成有使所述非覆盖部位和所述半导体层相互电连接的取出电极。

8.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述金属氧化膜中被所述栅极电极和所述半导体层夹着的区域作为栅极绝缘膜发挥功能。

9.根据权利要求8所述的柔性半导体装置，其特征在于，

具有多个由所述半导体层、所述栅极绝缘膜、所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极构成的晶体管构造体。

10.根据权利要求9所述的柔性半导体装置，其特征在于，

还具有电容器，

所述电容器的电极层由所述金属层构成，并且，所述电容器的电介质层由所述金属氧化膜构成。

11.根据权利要求10所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述柔性半导体装置是图像显示装置用的半导体装置，

所述图像显示装置的驱动电路由所述柔性半导体装置的所述晶体管构造体和所述电容器构成，并且，

所述金属氧化膜与包含所述晶体管构造体以及所述电容器的区域连续地形成。

12.一种柔性半导体装置的制造方法，其是用于制造柔性半导体装置的方法，其特征在于，包括以下工序：

(i)准备金属箔的工序；

(ii)使所述金属箔的表面区域氧化，形成由构成所述金属箔的金属的金属氧化膜构成的栅极绝缘膜的工序；

(iii)在所述栅极绝缘膜之上形成半导体层的工序；以及

(iv)通过蚀刻所述金属箔，从而由所述金属箔形成栅极电极、源极电极以及漏极电极的工序，

在所述工序(ii)中，使所述金属箔的表面区域的一部分不氧化从而形成非氧化部位，经由所述非氧化部位，分别使所述源极电极以及所述漏极电极与所述半导体层相互电连接。

13.根据权利要求12所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述金属箔含有阀金属，

在所述工序(ii)中，使所述金属箔的表面区域阳极氧化，形成由所述阀金属的金属氧化膜构成的栅极绝缘膜。

14.根据权利要求12所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(ii)中，在所述金属箔的表面中成为所述非氧化部位的区域形成抗蚀剂，对形成了所述抗蚀剂的所述金属箔的表面实施氧化处理。

15.根据权利要求12所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(iii)之后，按照与所述半导体层以及所述非氧化部位接触的方式形成取出电极。