[发明专利]基板台、包括该基板台的溅射装置以及成膜方法

权利要求书

1.一种基板台，被配置在真空容器内并具有载置基板的基板载置面，所述基板台包括：

第一磁场施加单元，对所述基板施加磁场，

所述第一磁场施加单元的内部的磁化方向与所述基板的厚度方向一致。

2.根据权利要求1所述的基板台，所述第一磁场施加单元以包围载置在所述基板载置面上的基板的周围的方式设置。

3.根据权利要求2所述的基板台，所述第一磁场施加单元的中央，在所述基板载置面的法线方向上可配置在与所述基板的表面相同的高度上。

4.根据权利要求1所述的基板台，在载置在所述基板载置面上的基板的背面侧设置所述第一磁场施加单元，所述第一磁场施加单元具有所述基板的外径以上的大小。

5.根据权利要求4所述的基板台，进一步包括：

第一磁性体，位于所述第一磁场施加单元与所述基板之间。

6.根据权利要求4或5所述的基板台，进一步包括：

第二磁性体，以包围所述基板的周围的方式配置。

7.根据权利要求4所述的基板台，进一步包括：

升降杆，相对于所述基板载置面来升降所述基板；以及

第二磁场施加单元，被设置在该升降杆上，

所述第一磁场施加单元具有贯通孔，所述升降杆可滑动地插通在所述贯通孔的内部，

所述第二磁场施加单元的内部的磁化方向与所述第一磁场施加单元的内部的磁化方向一致。

8.根据权利要求7所述的基板台，在所述基板被载置在所述基板载置面上的状态下，所述第一磁场施加单元的上端面与所述第二磁场施加单元的上端面可配置在同一平面上。

9.根据权利要求7所述的基板台，包括：

多根所述升降杆；以及

支撑部件，将所述各升降杆相互连接，

所述第一磁场施加单元具有多个所述贯通孔，

所述各升降杆分别配置在所述各贯通孔中。

10.根据权利要求7所述的基板台，进一步包括：

磁性体，位于所述第一磁场施加单元和所述基板之间以及所述第二磁场施加单元和所述基板之间。

11.一种溅射装置，包括：

权利要求1～10的任一项所述的基板台；

溅射阴极，相对于载置在所述基板载置面上的基板的法线倾斜配置；

溅射室，配置有所述基板台和所述溅射阴极；

真空排气单元，进行该溅射室内的真空排气；

气体供给单元，向所述溅射室内供给溅射气体；以及

电源，对所述溅射阴极施加电压。

12.一种成膜方法，在通过第一磁场施加单元，对载置在基板台上的基板，使该第一磁场施加单元的内部的磁化方向与所述基板的厚度方向一致地来施加磁场的同时，在所述基板的表面上进行溅射处理，所述基板台被配置在真空容器内并具有载置基板的基板载置面。

13.根据权利要求12所述的成膜方法，所述第一磁场施加单元以包围所述基板的周围的方式设置。

14.根据权利要求12所述的成膜方法，所述第一磁场施加单元被设置在所述基板的背面侧，且具有所述基板的外径以上的大小。

15.根据权利要求14所述的成膜方法，通过第二磁场施加单元对所述基板施加磁场，使所述第一磁场施加单元的内部的磁化方向与所述第二磁场施加单元的内部的磁化方向一致，且将所述第一磁场施加单元的上端面与所述第二磁场施加单元的上端面配置在同一平面上，而在所述基板上进行溅射处理，所述第二磁场施加单元被设置在升降杆上，所述升降杆可滑动地插通在设置于所述第一磁场施加单元的贯通孔的内部，相对于所述基板载置面来升降所述基板。

16.一种成膜方法，使用权利要求12～15任意一项所述的成膜方法，形成垂直磁化膜，所述垂直磁化膜用于形成隧道接合元件。