[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

在上部具有开口部的、使用等离子体对被处理体进行处理的处理容器；

向所述处理容器内供给处理气体的气体导入部；

对所述处理容器内进行减压排气的排气装置；

在所述处理容器内载置被处理体的载置台；

埋设于所述载置台的、用于向被处理体施加偏压的第一电极；

第二电极，该第二电极以至少其一部分面对所述处理容器内的等离子体的生成区域的方式配置，由从所述第一电极隔着等离子体处理空间而形成的导电性部件构成；

电介质板，其被支承在所述第二电极，堵塞所述处理容器的所述开口并且透过微波；和

平面天线，其设置在所述电介质板的上方，并且向所述处理容器内导入微波，

在与所述等离子体的生成区域面对的部分的所述第二电极的表面设置有涂敷硅而形成的保护膜，并且沿着所述处理容器的上部的内壁设置有第一绝缘板，与该第一绝缘板相邻沿着所述处理容器的下部的内壁设置有第二绝缘板。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二绝缘板的厚度形成为比所述第一绝缘板的厚度大。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二绝缘板覆盖着在比埋设有所述第一电极的载置台的高度低的高度位置处的、所述处理容器的内壁的至少一部分。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二绝缘板形成至达到与所述处理容器的下部连通设置的排气室的位置。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述处理容器具有第一容器和与该第一容器的上端面接合的第二容器，

在所述第一容器和所述第二容器之间形成有从所述气体供给机构向所述处理容器内供给的所述处理气体的气体通路，

夹着该气体通路在其两侧，双重地设置有第一密封部件和第二密封部件，并且在接近所述处理容器的内部一侧的所述第一密封部件的配设部位，所述第一容器和所述第二容器抵接，在接近所述处理容器的外部一侧的所述第二密封部件的配设部位，在所述第一容器和所述第二容器之间形成有间隙。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述气体通路由分别设置在所述第一容器的上端面和所述第二容器的下端面的台阶形成。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

构成为对被处理体实施等离子体氧化处理的等离子体氧化处理装置，

所述硅的保护膜通过所述等离子体的氧化作用被氧化而改性为二氧化硅膜。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质板、所述第一绝缘板和所述第二绝缘板由石英构成。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二电极为气密地开闭所述处理容器的盖部。