[发明专利]电流抑制元件、存储元件及它们的制造方法

权利要求书

1.一种电流抑制元件，其抑制在极性为正或负的电脉冲施加时流动的电流，该电流抑制元件的特征在于：

包括第一电极、电流抑制层和第二电极，

所述电流抑制层由SiN_x构成，所述第一电极和所述第二电极中的至少一方由α-钨构成。

2.如权利要求1所述的电流抑制元件，其特征在于：

所述电流抑制层由SiN_x构成，其中，0＜x≤0.85。

3.如权利要求1所述的电流抑制元件，其特征在于：

所述电流抑制层由SiN_x构成，其中，0.3≤x≤0.6。

4.一种电流抑制元件的制造方法，该电流抑制元件抑制在极性为正或负的电脉冲施加时流动的电流，该电流抑制元件的制造方法包括：形成第一电极的工序、形成由SiN_x构成的电流抑制层的工序和形成第二电极的工序，该电流抑制元件的制造方法的特征在于：

包括利用α-钨形成所述第一电极和所述第二电极中的至少一方的工序，

形成所述电流抑制层的工序包括：使用由多晶硅构成的靶，在含氮的气氛中进行溅射的工序。

5.如权利要求4所述的电流抑制元件的制造方法，其特征在于：

形成由SiN_x构成的电流抑制层的工序是形成由SiN_x(0＜x≤0.85)构成的电流抑制层的工序。

6.如权利要求4所述的电流抑制元件的制造方法，其特征在于：

形成α-钨的工序包括：使用由钨构成的靶，在压力为0.8Pa以下的、含氩的气氛中进行溅射的工序。

7.一种存储元件，包括：

电阻变化元件，其电阻值由于极性为正或负的电脉冲的施加而变化，并且该电阻变化元件维持该变化后的电阻值；和

电流抑制元件，该电流抑制元件抑制在所述电脉冲施加至所述电阻变化元件时流动的电流，

该存储元件的特征在于：

所述电流抑制元件包括第一电极、第二电极和配置在所述第一电极与所述第二电极之间的电流抑制层，

所述电流抑制层由SiN_x构成，所述第一电极和所述第二电极中的至少一方由α-钨构成。

8.如权利要求7所述的存储元件，其特征在于：

所述电流抑制层由SiN_x构成，其中，0＜x≤0.85。

9.如权利要求7所述的存储元件，其特征在于：

所述电流抑制层由SiN_x构成，其中，0.3≤x≤0.6。

10.一种存储元件的制造方法，其包括：

形成电阻变化元件的工序，该电阻变化元件的电阻值由于极性为正或负的电脉冲的施加而变化，且该电阻变化元件维持该变化后的电阻值；和

形成电流抑制元件的工序，该电流抑制元件抑制在所述电脉冲施加至所述电阻变化元件时流动的电流，

该存储元件的制造方法的特征在于：

形成所述电流抑制元件的工序包括：形成第一电极的工序、形成由SiN_x构成的电流抑制层的工序和形成第二电极的工序，

包括利用α-钨形成所述第一电极和所述第二电极中的至少一方的工序，

形成所述电流抑制层的工序包括：使用由多晶硅构成的靶，在含氮的气氛中进行溅射的工序。

11.如权利要求10所述的存储元件的制造方法，其特征在于：

形成由SiN_x构成的电流抑制层的工序是形成由SiN_x(0＜x≤0.85)构成的电流抑制层的工序。

12.如权利要求10所述的存储元件的制造方法，其特征在于：

形成由SiN_x构成的电流抑制层的工序是形成由SiN_x(0.3≤x≤0.6)构成的电流抑制层的工序。

13.如权利要求10所述的存储元件的制造方法，其特征在于：

形成α-钨的工序包括：使用由钨构成的靶，在压力为0.8Pa以下的、含氩的气氛中进行溅射的工序。