[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备共用输出布线的多个存储单元，其特 征在于，

所述多个存储单元的每一个具备：

存储电路，其具有数据保持节点；

写入电路，其向所述存储电路写入数据；和

读取电路，其从所述存储电路读取数据；

所述读取电路具备：

开关用晶体管，其根据第一控制信号，连接所述数据保持节点和控制 线；

复位用晶体管，其根据第二控制信号，对所述控制线进行复位；和

输出布线驱动用晶体管，其具有与所述控制线连接的栅极、与所述输 出布线连接的漏极、与电源连接的源极；

所述开关用晶体管包括具有与所述第一控制信号连接的栅极、与所述 数据保持节点连接的源极、与所述控制线连接的漏极的第一导电型晶体 管，

所述复位用晶体管包括具有与所述第二控制信号连接的栅极、与所述 控制线连接的漏极、与电源连接的源极的第1第二导电型晶体管，

所述输出布线驱动用晶体管包括具有与所述控制线连接的栅极、与所 述输出布线连接的漏极、与电源连接的源极的第2第二导电型晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

在所述存储电路内，驱动所述数据保持节点的第一导电型晶体管的栅 极宽度比构成所述复位用晶体管的第二导电型晶体管的栅极宽度大。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

在所述存储电路内，驱动所述数据保持节点的第一导电型晶体管的栅 极长度比构成所述复位用晶体管的第二导电型晶体管的栅极长度短。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

构成所述复位用晶体管的第二导电型晶体管的阈值电压比构成所述 存储电路的晶体管的阈值电压高。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述多个存储单元共用的输出布线是位线，

与同一位线连接的所述多个存储单元共用所述第二控制信号。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

多个存储单元共用向所述开关用晶体管提供所述第一控制信号的字 线，

与同一字线连接的所述多个存储单元共用所述第二控制信号。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述复位用晶体管还具有进行所述存储电路的初始化的功能。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述复位用晶体管的栅极宽度比构成所述存储电路的晶体管的栅极 宽度大。

9.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于，

该半导体存储装置还具备用于向所述存储电路写入与所述初始化的 数据相反的数据的写入用晶体管。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述存储电路内的一对数据保持节点的每一个上连接了所述读取电 路，该半导体存储装置还具备将各个读取电路的输出布线作为输入的读出 放大器。

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述复位用晶体管还具有在数据读取之前进行所述输出布线的降压 的功能。

12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

在所述存储电路上连接有多个写入电路与多个读取电路。

13.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

该半导体存储装置还具备介于所述数据保持节点与所述开关用晶体 管之间的至少一级反相器。

14.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述复位用晶体管的电源由第三控制信号控制。