[发明专利]固体摄像装置有效
| 申请号: | 200980100016.7 | 申请日: | 2009-06-10 |
| 公开(公告)号: | CN101779288A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
| 发明(设计)人: | 平本政夫;米本和也;西胁青儿;铃木正明;杉谷芳明;若林信一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N9/07 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种固体摄像装置的高灵敏度化及包含红外光的彩色化 的技术。
背景技术
近年来,使用了CCD、CMOS等固体摄像装置(以下有时称为“摄 像元件”)的数码相机、数字电影的高功能化、高性能化发展神速。尤其 基于半导体制造技术的进步,使固体摄像装置中像素构造的微细化得以发 展,实现了固体摄像装置的像素及驱动电路的高集成化。因此,区区几年 间,摄像元件的像素数就从100万像素显著地增加到1000万像素。不过, 从另一个角度而言,由于伴随着摄像元件的多像素化,导致一个像素接收 的光的量(光量)降低,所以,引起了相机灵敏度也降低的问题。
在相机灵敏度降低的原因中,除了多像素化之外,色分离用的滤色器 自身也存在原因。由于通常的滤色器将所利用的色成分以外的光吸收,所 以,使得光利用率降低。作为具体的例子,在使用了原色(BEYER)型滤 色器的彩色相机中,由于在摄像元件的各感光部上配置有将有机颜料作为 色素的减色型滤色器,所以,光利用效率十分低。在原色型滤色器中,以 将一个红(R)要素、两个绿(G)要素、一个蓝(B)要素作为基本构成 的排列,按二维方式排列了三种颜色的滤色器。R滤色器使R光透过,吸 收G光、B光。G滤色器使G光透过,吸收R光、B光。B滤色器使B 光透过,吸收R光、G光。即,由于透过各滤色器的光是RGB三种颜色 中的一种颜色,其他的两种颜色被滤色器吸收,所以,被利用的光是入射 到滤色器的可见光的约1/3。
而且,针对相机而言,除了性能之外,在利用方面上还存在各种要求。 最近,在监视用途上,除了要求满足白天监视的功能之外,还存在着在夜 间要利用红外光进行摄像的需求,要求能够由一个相机兼具白天夜间都能 监视的相机功能。
为了解决这样的问题、满足上述的要求,专利文献1中公开了一种在 摄像元件的受光部安装微透镜阵列,来增加受光量的方法。该方法由于使 摄像元件的感光部的开口率降低,所以,是通过微透镜聚光,实质上提高 光开口率的方法,目前,在几乎所有的固体摄像元件中使用。如果使用该 方法,则确实会提高实质的开口率,但不是解决滤色器的光利用率降低的 方法。
因此,作为同时解决该光利用率降低和灵敏度降低的方法,专利文献 2公开了一种将多层膜的滤色器与微透镜组合,形成具有最大限度取入光 的构造的固体摄像装置。该装置组合使用了不吸收光而选择性地使特定波 段的光透过、将其他波段的光反射的多个分色镜。各分色镜只选择必要的 光,将其入射到对应的感光部。图25是具有这样结构的的一例的摄像元 件的剖面图。
根据图25的固体摄像装置可知,入射到聚光微透镜21的光被内透镜 22调整了光束之后,入射到第一分色镜23中。第一分色镜23使红(R) 光透过,但将其他的色光反射。透过了第一分色镜23的光入射到正下方 的感光单元2。被第一分色镜23反射后的光入射到相邻的第二分色镜24。 第二分色镜24反射绿(G)光,使蓝(B)光透过。被第二分色镜24反 射的绿光入射到其正下方的感光单元2。透过了第二分色镜24的蓝光被第 二分色镜25反射,入射到其正下方的感光单元2。
根据图25的摄像元件,入射到聚光微透镜21的可见光未被滤色器吸 收,其RGB各成分被三个感光单元2毫不浪费地检测出。
专利文献3中公开了一种使用微棱镜的固体摄像装置。在该装置中, 通过微棱镜使分色成红、绿、蓝的光入射到各个感光单元。利用这样的固 体摄像装置,滤色器的光完全未被吸收。
这样,在专利文献2、3所公开的固体摄像装置中,其公共点在于: 不使用选择性地使特定波段的光透过的滤色器,取而代之,使用了选择性 地透过/反射特定波段的光的微反射镜、根据波段使入射光向不同的方向分 支的微棱镜。根据作为这样的微反射镜、微棱镜的分光要素来发挥功能的 色分离光学元件,能够大幅提高光的利用率。
但是,在这些固体摄像装置中,需要设置所利用的色分离光学元件的 数量,或进行分光的数量的感光单元。例如,为了检测红、绿、蓝色光, 必须将感光单元的数量增加至3倍。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





