[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体激光器

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光器，包括：

具有主表面的衬底；

n型熔覆层，其设置在所述衬底上并且由III族氮化物半导体组成；

p型熔覆层，其设置在所述衬底上并且由III族氮化物半导体组成；

有源层，其设置在所述n型熔覆层与所述p型熔覆层之间；

第一光引导层，其设置在所述n型熔覆层与所述有源层之间；以及

第二光引导层，其设置在所述p型熔覆层与所述有源层之间，

其中，所述有源层包括多个阱层和在所述多个阱层之间设置的至少一个第一势垒层，

所述第一光引导层包括由InGaN组成的第一InGaN区，所述InGaN的带隙小于所述第一势垒层的带隙并且大于所述阱层的带隙，

所述第二光引导层包括由InGaN组成的第二InGaN区，

在所述有源层的多个阱层之中，最靠近所述第一光引导层的阱层是第一阱层，

在所述有源层的多个阱层之中，最靠近所述第二光引导层的阱层是第二阱层，

所述有源层包括第二势垒层和第三势垒层，所述第二势垒层设置在所述第一阱层与所述第一光引导层之间，所述第三势垒层设置在所述第二阱层与所述第二光引导层之间，

所述第二光引导层还包括第三InGaN区，所述第三InGaN区设置在所述第三势垒层与所述第二InGaN区之间，以及

所述第三InGaN区具有从所述第三势垒层朝着所述第二InGaN区逐渐增加的铟组分。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体激光器，其中，

所述第二InGaN区由其带隙小于所述第一势垒层的带隙并且大于所述阱层的带隙的InGaN组成；

所述第二势垒层包括一带隙大于所述第一InGaN区的带隙的部分；以及

所述第三势垒层包括一带隙大于所述第二InGaN区的带隙的部分。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光器，其中，

所述第一势垒层由氮化镓基半导体组成，并且所述第二势垒层和所述第三势垒层由所述氮化镓基半导体组成。

4.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光器，其中，

所述第三势垒层包括InGaN区，以及

所述第三势垒层的InGaN区具有从所述第二阱层朝着所述第二InGaN区逐渐增加的铟组分。

5.根据权利要求1、2或4所述的III族氮化物半导体激光器，其中，

所述第二光引导层还包括第四InGaN区，所述第四InGaN区设置在所述第二InGaN区与所述p型熔覆层之间，以及

所述第四InGaN区具有从所述第二InGaN区向着所述p型熔覆层减少的铟组分。

6.根据权利要求1、2或5所述的III族氮化物半导体激光器，其中，

所述第一光引导层还包括第五InGaN区，所述第五InGaN区设置在所述第二势垒层与所述第一InGaN区之间，以及

所述第五InGaN区具有从所述第二势垒层朝着所述第一InGaN区逐渐增加的铟组分。

7.根据权利要求6所述的III族氮化物半导体激光器，其中，

所述第二势垒层包括InGaN区，以及

所述第二势垒层的InGaN区具有从所述第一阱层朝着所述第一InGaN区逐渐增加的铟组分。

8.根据权利要求1、2或7所述的III族氮化物半导体激光器，其中，

所述第一光引导层还包括第六InGaN区，所述第六InGaN区设置在所述第一InGaN区与所述n型熔覆层之间，以及

所述第六InGaN区具有从所述第一InGaN区朝着所述n型熔覆层逐渐减少的铟组分。

9.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光器，其中，

所述有源层包括多量子阱结构，所述多量子阱结构被设置成使得所述III族氮化物半导体激光器具有在430nm或更大的波长区域内的发光波长。

10.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光器，其中，

所述第一光引导层具有150nm或更小的厚度，以及

所述第二光引导层具有150nm或更小的厚度。