[发明专利]用于确定光学阈值和抗蚀剂偏置的方法和装置

权利要求书

1.一种用于为光刻工艺确定参数的方法，所述方法包括：

接收布局；

通过测量在晶片上印刷的等聚焦图案的关键尺度来确定抗蚀剂 关键尺度值，其中所述关键尺度对聚焦变化基本上不敏感；

通过以下操作来确定光学关键尺度值：

通过将所述布局与多个光学模型卷积来确定与所述等聚焦 图案邻近的多个空间图像强度值，其中所述多个光学模型对不同聚 焦条件之下的所述光刻工艺的光学系统进行建模；

确定与所述等聚焦图案邻近的第一位置，所述空间图像强 度值在所述第一位置对聚焦变化基本上不敏感；以及

通过确定在所述第一位置与参考位置之间的距离来确定所 述光学关键尺度值；

通过确定所述抗蚀剂关键尺度值与所述光学关键尺度值之差来 为所述光刻工艺确定抗蚀剂偏置；以及

存储所述抗蚀剂偏置。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：

通过以下操作来标识所述布局中的等聚焦图案：

在不同聚焦条件之下印刷所述布局以获得成组晶片上的印 刷图案；

测量所述印刷图案的关键尺度；以及

确定其关键尺度测量对聚焦变化基本上不敏感的图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述抗蚀剂偏置用来为所 述光刻工艺确定光刻工艺模型。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述光刻工艺模型用来进 行光学邻近校正。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述光刻工艺模型用来预 测晶片上的印刷图案的轮廓。

6.一种用于为光刻工艺确定参数的设备，所述设备包括：

用于接收布局的装置；

用于通过测量在晶片上印刷的等聚焦图案的关键尺度来确定抗 蚀剂关键尺度值的装置，其中所述关键尺度对聚焦变化基本上不敏 感；

用于确定光学关键尺度值的装置，包括：

用于通过将所述布局与多个光学模型卷积来确定与所述等 聚焦图案邻近的多个空间图像强度值的装置，其中所述多个光学模 型对不同聚焦条件之下的所述光刻工艺的光学系统进行建模；

用于确定与所述等聚焦图案邻近的第一位置的装置，所述 空间图像强度值在所述第一位置对聚焦变化基本上不敏感；以及

用于通过确定在所述第一位置与参考位置之间的距离来确 定所述光学关键尺度值的装置；

用于通过确定所述抗蚀剂关键尺度值与所述光学关键尺度值之 差来为所述光刻工艺确定抗蚀剂偏置的装置；以及

用于存储所述抗蚀剂偏置的装置。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述设备包括：

用于标识所述布局中的等聚焦图案的装置，包括：

用于在不同聚焦条件之下印刷所述布局以获得成组晶片上 的印刷图案的装置；

用于测量所述印刷图案的关键尺度的装置；以及

用于确定其关键尺度测量对聚焦变化基本上不敏感的图案 的装置。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述抗蚀剂偏置用来为所 述光刻工艺确定光刻工艺模型。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述光刻工艺模型用来进 行光学邻近校正。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述光刻工艺模型用来 预测晶片上的印刷图案的轮廓。