[实用新型]一种平板探测器件无效

专利信息
申请号: 200920283460.4 申请日: 2009-12-18
公开(公告)号: CN201844983U 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 杨兰兰;屠彦;张雄;李青;王保平 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01N23/04 分类号: G01N23/04
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 张惠忠
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 平板 探测 器件
【权利要求书】:

1.一种平板探测器件,其特征在于:包含前基板,后基板,及气密封于前后基板之间的包含网格孔阵列的网格孔阵列板(4),所述的前基板包括前衬底玻璃板(7)、在前衬底玻璃板上表面制作的第一电极组(8)和在前衬底玻璃下表面蒸镀的薄膜(6),所述的后基板包括后衬底玻璃板(2)、在后衬底玻璃板下表面制作的第二电极组(1)和在后衬底玻璃上表面蒸镀的薄膜(3);在网格阵列板(4)上涂覆有一层闪烁体(5)材料。

2.根据权利要求1所述的平板探测器件,其特征在于网格孔阵列板(4)的网格孔为锥台形通孔,锥台形通孔的大底面(9)位于网格孔阵列板的上表面,锥台形通孔的小底面(10)位于网格孔阵列板的下表面,网格阵列板(4)的厚度为50μm-5mm。

3.根据权利要求1所述的平板探测器件,其特征在于:所述的锥台为圆锥台。

4.根据权利要求1所述的平板探测器件,其特征在于:所述的网格孔阵列板(4)为金属板或绝缘板。

5.根据权利要求1所述的平板探测器件,其特征在于:所述的第一电极组(1)由银、铜或铝材料通过蒸镀光刻工艺构成,或由铟锡氧化物半导体透明导电膜或氧化锌透明导电薄膜构成,所述的第二电极组(8)银、铜或铝材料通过蒸镀光刻工艺构成,或由铟锡氧化物半导体透明导电膜或氧化锌透明导电薄膜构成。 

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