[实用新型]可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构

权利要求书

1.一种可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，其特征在于，包含有：

一第一导电性材料半导体基板，于内部形成一环形的保护环，该保护环围绕的区域一为动作区，在动作区内部形成多个呈点状排列的第二导电性材料区域以在第一导电性材料半导体基板内部产生空乏区；

一氧化层，覆盖于该第一导电性材料半导基板表面；

一金属层，覆盖于该氧化层及第一导电性材料半导体基板的动作区，该金属层与第一导电性材料半导体基板之间形成萧特基接触。

2.如权利要求1所述可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，其特征在于，该多个第二导电性材料区域呈矩阵式的点状排列。

3.如权利要求1所述可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，其特征在于，该多个第二导电性材料区域呈交错式的点状排列。

4.如权利要求3所述可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，其特征在于，当取任一个第二导电性材料区域为基准点及与其相邻的两个第二导电性材料区域，三者排列成一等边三角形。

5.如权利要求1至4任一项所述可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，其特征在于，该保护环由第二导电性材料半导体材料构成。

6.如权利要求5所述可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，其特征在于，该第一导电性材料为N型半导体材料，该第二导电性材料为P型半导体材料。

7.如权利要求5所述可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，其特征在于，该第一导电性材料为P型半导体材料，该第二导电性材料为N型半导体材料。