[实用新型]利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构有效
| 申请号： | 200920271437.3 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN201556624U | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 童钧彦;陈坤贤;王凯莹;沈宜蓁;翁宏达 | 申请（专利权）人： | 璟茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 产生 空乏 降低 逆向 漏电 萧特基 二极管 结构 | ||
1.一种利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，其特征在于，包含有：
一第一导电性材料半导体基板，于内部形成一环形的保护环，该保护环围绕的区域一为动作区，在动作区内部形成多个呈线状分布的第二导电性材料区域以在第一导电性材料半导体基板内部产生空乏区；
一氧化层，覆盖于该第一导电性材料半导基板表面；
一金属层，覆盖于该氧化层及第一导电性材料半导体基板的动作区，该金属层与第一导电性材料半导体基板之间形成萧特基接触。
2.如权利要求1所述利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，其特征在于，该多个呈线状排列的第二导电性材料区域彼此纵横交错而成网状分布。
3.如权利要求2所述利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，其特征在于，多个呈线状排列的第二导电性材料区域彼此呈垂直交叉。
4.如权利要求2所述利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，其特征在于，多个呈线状排列的第二导电性材料区域彼此呈斜向交叉。
5.如权利要求4所述利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，其特征在于，由该多个呈斜向交叉的第二导电性材料区域所围绕的区域为等边菱形。
6.如权利要求1至5任一项所述利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，其特征在于，该保护环由第二导电性材料半导体材料构成。
7.如权利要求6所述利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，其特征在于，该第一导电性材料为N型半导体材料，该第二导电性材料为P型半导体材料。
8.如权利要求6所述利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，其特征在于，该第一导电性材料为P型半导体材料，该第二导电性材料为N型半导体材料。
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