[实用新型]一种热熔断式传感器无效
| 申请号: | 200920269176.1 | 申请日: | 2009-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN201600425U | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
| 发明(设计)人: | 何鸿云;王玉松;袁莱;段云波 | 申请(专利权)人: | 成都运达创新科技有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02;G01K7/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 熔断 传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种热熔断式传感器。
背景技术
目前,热熔断式传感器应用于机车轴温监测技术,虽然具有温度状态检测可靠,故障率低的优点,但是,热熔断式传感器仍然可能出现电缆、接头机械断线等故障,使轴温状态监测的可信度大为降低。为此,有必要研究一种技术,使得热熔断式传感器的断线状态检测更加可靠。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足,提供一种热熔断式传感器,该热熔断式传感器不仅具有温度状态检测可靠、故障率低的优点,且明显提高了轴温状态监测的可信度,使得热熔断式传感器的轴温状态监测更加可靠。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现:一种热熔断式传感器,包括与热熔断检测电路相连的热熔断元件F1,所述热熔断元件F1并联有至少一个检测电阻R3。
上述热熔断检测电路主要由光电耦合器U1和光电耦合器U2构成,所述光电耦合器U1的一端经电阻R1与单片机MCU相连接,另一端经电阻R2与晶体管Q1的基极相连接;所述光电耦合器U2的一端经电阻R4与单片机MCU相连接,另一端直接与电容C2两端相连接,且所述晶体管Q1的集电极还顺次经电容C1和电阻R6后与电容C2的一端相连接。
上述热熔断元件F1的两端分别介于电容C1的两端,检测电阻R3和热熔断元件F1并联后的两端分别经信号线连接于电容C1的两端。
综上所述,本实用新型的有益效果是:不仅具有温度状态检测可靠、故障率低的优点,且明显提高了轴温状态监测的可信度,使得热熔断式传感器的轴温状态监测更加可靠。
附图说明
图1为热熔断式传感器的电路原理图;
图2为热熔断检测的电路原理图;
图3为检测结果为A状态时的时序图;
图4为检测结果为B状态时的时序图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图,对本实用新型作进一步的详细说明,但本实用新型的实施方式不仅限于此。
实施例:
如图1所示,本实用新型涉及到的热熔断式传感器主要由与热熔断检测电路相连的热熔断元件F1构成,热熔断元件F1采用易熔合金制作而成,由于热熔断式传感器在使用过程中可能出现电缆、接头机械断线等故障,使得轴温状态监测的可信度大为降低,为了克服上述缺点,本实用新型在热熔断元件F1并联有至少一个检测电阻R3。
热熔断检测电路主要由光电耦合器U1和光电耦合器U2构成,所述光电耦合器U1的一端经电阻R1与单片机MCU相连接,另一端经电阻R2与晶体管Q1的基极相连接;所述光电耦合器U2的一端经电阻R4与单片机MCU相连接,另一端直接与电容C2两端相连接,且所述晶体管Q1的集电极还顺次经电容C1和电阻R6后与电容C2的一端相连接。
上述传感器应用到热熔断检测电路时的结构示意图如图2所示,热熔断元件F1的两端分别介于电容C1的两端,检测电阻R3和热熔断元件F1并联后的两端分别经信号线连接于电容C1的两端。
热熔断式传感器熔断状态检测过程为:首先,CT端输出低电平,当光电耦合器U1导通->晶体管Q1导通->热熔断元件F1有电流->光电耦合器U2导通,进而FB端输出低电平,则表示热熔断传感器导通;当光电耦合器U1导通->晶体管Q1导通->热熔断元件F1无电流->光电耦合器U2不导通,进而FB端输出高电平,则表示热熔断传感器熔断。
如果电路检测到热熔断式传感器熔断,则有必要检测热熔断式传感器是否断线。
热熔断式传感器的断线检测原理为:当从CT端输出周期为20ms,占空比为50%的脉冲信号时,如热熔断式传感器未断线,电容C1两端实际为RC电路,对周期为20MS的脉冲衰减不大,光电耦合器U2导通,FB端可以检测到低电平脉冲;如热熔断式传感器处于断线状态,电容C1两端实际为电容电路,对周期为20MS的脉冲衰减较大,光电耦合器U2不导通,FB端检测不到低电平脉冲。
热熔断式传感器的断线检测流程为:单片机MCU上电后,将其CT端初始化为输出状态并输出低电平;其FB端初始化为输入状态。
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