[实用新型]单晶炉副室清洁杆

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于清洁单晶炉副室的装置。

背景技术

提拉法晶体生长方法是获取单晶的主要方法之一。它的工作原理是，首先将原料熔化，然后在合适的温度下将籽晶从上面接触到熔体的液面，然后将籽晶慢慢上拉。在晶体上拉的同时控制熔体的温度，熔体在籽晶下面不断凝固，形成晶体并不断从液面拉出。单晶炉是目前提拉法晶体生长中最重要的设备，用单晶炉来拉制晶体，单晶生长速度快，容易实现人工控制，因此获得了广泛的应用。

现有单晶炉的结构如图1所示，其主要由副室A和主室B组成。主室B为硅原料的加热反应室，副室A内设置有用于提升单晶的装置，在整个单晶炉中主要起到单晶棒行程通道的作用。拉晶过程中需要向副室A通入氩气，氩气携带着反应的挥发物顺着副室A向下运动，最后通过主室B的排气管道排出。由于夹杂着挥发物的气体不可能完全沿单晶炉设计的方向流动，挥发物会逐渐在副室A的炉膛内壁沉积，并有可能会掉入融硅中，造成拉晶过程中因吃渣引起的单晶“断棱”现象。所述“断棱”是单晶拉制中长晶过程被外力中断的俗称，一旦断棱，产品合格率大大降低。

由于单晶炉的其他部件均可在清炉过程中用酒精、无尘布等彻底清洁，基本上不存在外部杂质，但由于副室A的高度高于地面2～5米，且整个副室A炉膛长有2.5米左右，直径约有30cm，在清炉的过程中很难覆盖到，所以副室1内壁包含杂质，成为造成单晶“断棱”的主要原因。

实用新型内容

针对现有单晶炉在清炉的过程中很难清洁到副室内壁的问题，申请人进行了研究改进，提供一种单晶炉副室清洁杆，可有效对副室的炉膛内壁进行清洁，从而避免吃渣后单晶断棱现象的发生，提高产品合格率。

本实用新型的技术方案如下：

一种单晶炉副室清洁杆，包括杆柄以及与其一端连接的杆头，所述杆头由杆头支架以及被杆头支架支撑的圆环组成，所述杆柄与杆头支架连接。

其进一步的技术方案是：所述杆头支架为十字形，所述杆柄与十字形杆头支架的中心固定连接。

以及，其进一步的技术方案是：所述杆柄是中空的。

本实用新型的有益技术效果是：

本实用新型可有效地对单晶炉副室的内壁进行清洁。清炉的时候，在本实用新型的杆头上包裹蘸取酒精的不会掉毛的丝光毛巾，人手持杆柄对副室内壁进行上下清洁，并旋转杆柄以清洁内壁的各个角度，最后在杆头上包裹蘸取酒精的无尘纸做最后检查，若无尘纸不粘灰，则确认清洁完毕。

使用本实用新型清洁后的单晶炉可减少因吃渣引起的单晶“断棱”情况，将产品合格率提高了数个点。经过20炉的连续试验，在其他工艺没有改动的情况下，产品平均合格率比未清洁前提高5％；长期坚持使用，产品平均合格率可提高2～3％。

附图说明

图1是现有单晶炉的结构示意图。

图2是本实用新型的主视图。

图3是图2的俯视图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步说明。

图2至图3示出了本实用新型的一个实施例。如图2至图3所示，本实用新型包括杆柄1以及与其一端连接的杆头2，杆头2由一个十字形支架3以及被十字形支架3支撑的圆环4焊接组成，杆柄1与十字形支架3的中心焊接连接。所述杆柄1以及杆头2是中空的，不但轻便，还可节约材料，降低生产成本。

本实用新型成品后的规格要求如下：整体高度要求达到人高举时可达到副室1的顶部，杆头部圆环4的直径要略小于副室1内壁的直径。

使用方法如下：清炉的时候，在杆头2的圆环4上包裹上数块已经蘸取酒精的不会掉毛的丝光毛巾，人手持杆柄1对副室内壁进行上下清洁，并旋转杆柄以清洁内壁的各个角度，最后在杆头2的圆环4上包裹数块已经蘸取酒精的无尘纸做最后检查，若无尘纸不粘灰，则确认清洁完毕。