[实用新型]一种密集排列的微电子三极管引线框架件有效

专利信息
申请号: 200920244614.9 申请日: 2009-12-22
公开(公告)号: CN201584406U 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 陈孝龙;陈楠;商岩冰;陈明明 申请(专利权)人: 宁波华龙电子股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/13;H01L23/31
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315124 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 密集 排列 微电子 三极管 引线 框架
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体分立器件制造技术领域,尤其指一种微电子领域应用的三极管引线框架件制造技术。

背景技术

半导体分立器件产品的市场应用领域极为广泛,它涵盖了消费电子、计算机及外设、网络通信,电子专用设备与仪器仪表、汽车电子、LED显示屏以及电子照明等多个领域;这些在不同领域应用的三极管引线框架外形和性能要求也各不相同,例如在网络通信、仪器仪表、LED显示屏、手机等产品应用的三极管引线框架外形相对较小,所以制造时往往将单排或者双排引线框架通过连接筋和边带相互连接,连续冲压成型以提高生产效率。但随着制造成本的上升,现有的单排或者双排引线框架件制造利润急骤下降;此外由于外形较小、厚度较薄的缘故,现有微电子领域应用的三极管引线框架封装后,其封料与基体结合的牢固度以及密封防潮性能有待于进一步提高。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有同类产品制造成本上升、封装后封料与基体结合牢固度低、易分层鼓起的缺陷和不足,向社会提供一种生产效率高、封装后封料与基体结合牢固、密封防潮性能优异的微电子三极管引线框架件产品。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:密集排列的微电子三极管引线框架件由包含多个相同引线框架的单元体经多个接片横向连续排列而成,相邻的所述接片之间设有孔隙,所述单元体设有纵向两列、横向八排设置的16个引线框架;所述引线框架包括芯片岛、散热片和三个引脚,位于所述芯片岛两侧的所述引脚焊区向所述芯片岛贴片表面折弯。

所述芯片岛的两侧边缘设有顶端尖锐的突筋。

所述芯片岛与其引脚、散热片相交的边缘表面分别设有弧形凹槽和三角沟槽。

本实用新型密集排列的微电子三极管引线框架件,每个单元体设有纵向两列、横向八排的共16个引线框架,因此不但生产效率提高,而且作为过渡件的边带、接片等边角料耗材大幅下降。应用本产品封装时,封料填充于所述芯片岛贴片部位两边缘处的弧形凹槽和三角沟槽内,大大增强了封料与芯片岛的结合力,可以有效阻止水汽的浸入;同样在所述芯片岛两侧边缘设突筋后,可以防止封料在所述芯片岛的正面或者反面鼓起分层,使成品抗机械冲击和耐热疲劳强度明显提升,从而大大提高了半导体分立器件运行的可靠性。本产品广泛适用于网络通信、仪器仪表、LED显示屏、手机等产品应用的电子元器件领域。

附图说明

图1是本实用新型产品结构示意图。

图2是本实用新型基本单元结构示意图。

图3是图2中引线框架的放大结构示意图。

图4是图3的B-B向截面结构示意图。

图5是图3的A-A向截面结构示意图。

图6是图5的C部放大结构示意图。

图7是图5的D部放大结构示意图。

具体实施方式

如图1和图2所示,本实用新型以行业编码为SOT89-3A产品为例,密集排列的微电子三极管引线框架件由包含多个相同引线框架4的单元体1经多个接片5横向连续排列而成,相邻的所述接片5之间设有孔隙12;每个所述单元体1设有纵向两列、横向八排设置的16个引线框架4,纵向两列的所述引线框架4之间设有筋条13连接,所述单元体1的上下两侧设边带10横向互相连接。

如图3和图5所示,所述引线框架4包括芯片岛6、散热片14和三个引脚2,所述三个引脚2之间设有连接片3相连接固定;位于所述芯片岛6两侧的所述引脚2焊区8向所述芯片岛6贴片表面折弯。

如图3和图4所示,所述芯片岛6的两侧边缘设有突筋7,所述突筋7的顶端尖锐。

如图5、图6和图7所示,所述芯片岛6与其引脚2、散热片14相交的边缘表面分别设有弧形凹槽11和三角沟槽9。

下面继续结合附图,简述本实用新型产品的工作原理。根据封装厂的设计要求,在配备有对应模具的冲压机中加工出合格的三极管引线框架版件产品,由于本产品的每个单元体1设有纵向两列、横向八排的共16个引线框架4,因此不但生产效率提高,而且作为过渡件的边带10、接片5等边角料耗材大幅下降。应用本产品封装时,封料填充于所述芯片岛6贴片部位两边缘处的弧形凹槽11和三角沟槽9内,大大增强了封料与芯片岛6的结合力,可以有效阻止水汽的浸入;同样在所述芯片岛6两侧边缘设突筋7后,可以防止封料在所述芯片岛6的正面或者反面鼓起分层,成品抗机械冲击和耐热疲劳强度明显提升,从而大大提高了半导体分立器件运行的可靠性。

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