[实用新型]一种小步进低杂散低相噪频率合成器

权利要求书

1.一种小步进低杂散低相噪频率合成器，其特征在于，主要由细步进锁相环路、粗步进锁相环路以及混频锁相环路组成，所述的细步进锁相环路与所述的混频锁相环路相连，所述的细步进锁相环路通过晶体振荡器与粗步进锁相环路相连。

2.根据权利要求1所述的一种小步进低杂散低相噪频率合成器，其特征在于，还包括控制器，所述的控制器分别与细步进锁相环路，混频锁相环路及粗步进锁相环路相连。

3.根据权利要求2所述的一种小步进低杂散低相噪频率合成器，其特征在于，在所述的控制器上还设置有数字接口。

4.根据权利要求1或3所述的一种小步进低杂散低相噪频率合成器，其特征在于，所述的细步进锁相环路包括R₁、K₁、N₁分频器，第一鉴相器、第一压控振荡器以及第一耦合器，所述的第一鉴相器、第一压控振荡器、第一耦合器及N₁分频器依次相连形成一个环路，所述的R₁分频器分别与晶体振荡器及第一鉴相器相连，所述的K₁分频器与所述的混频锁相环路相连。

5.根据权利4所述的一种小步进低杂散低相噪频率合成器，其特征在于，所述的粗步进锁相环路包括R₂、N₂分频器，第二鉴相器，第二压控振荡器以及第二耦合器，所述的第二鉴相器、第二压控振荡器、第二耦合器以及N₂分频器依次相连形成一个环路，所述的R₂分频器分别与晶体振荡器及第二鉴相器相连，所述的第二耦合器与混频锁相环路相连。

6.根据权利5所述的一种小步进低杂散低相噪频率合成器，其特征在于，所述的混频锁相电路包括R₃、N₃、K₂分频器，第三鉴相器、第三压控振荡器、第三耦合器以及混频器，所述的第三鉴相器、第三压控振荡器、第三耦合器、K₂分频器、混频器、N₃分频器依次首尾相连形成一个环路，所述混频器与第二耦合器相连，所述的R₃分频器依次与K₁分频器及第三鉴相器相连，所述的第三耦合器上设有输出端。

7.根据权利要求1或6所述的一种小步进低杂散低相噪频率合成器，其特征在于，所述的晶体振荡器采用恒温晶体振荡器。

8.根据权利要求7所述的一种小步进低杂散低相噪频率合成器，其特征在于，所述的第一压控振荡器、第二压控振荡器及第三压控振荡器分别采用低斜率压控振荡器。