[实用新型]一种高透光太阳电池背膜有效
| 申请号： | 200920220235.6 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN201540896U | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 林建伟;张育政;司琼;夏文进;郑向阳 | 申请（专利权）人： | 苏州中来太阳能材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/048;B32B27/08;B32B7/02;B32B33/00 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 林建军 |
| 地址： | 215500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 透光 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种高透光太阳电池背膜，包括高透光基层，其特征在于：所述基层的外侧或两侧具有基于丙烯酸树脂的紫外线吸收层。
2.如权利要求1所述的一种高透光太阳电池背膜，其特征在于：所述基层的厚度为0.05mm～0.35mm。
3.如权利要求2所述的一种高透光太阳电池背膜，其特征在于：所述基层的厚度为0.15mm～0.2mm。
4.如权利要求1所述的一种高透光太阳电池背膜，其特征在于：所述紫外线吸收层的厚度为0.001mm～0.01mm。
5.如权利要求4所述的一种高透光太阳电池背膜，其特征在于：所述紫外线吸收层的厚度为0.003mm～0.005mm。
6.如权利要求1所述的一种高透光太阳电池背膜，其特征在于：所述基层的内侧或位于内侧的紫外线吸收层上形成有氟硅氧烷化成膜层。
7.如权利要求6所述的一种高透光太阳电池背膜，其特征在于：所述氟硅氧烷化成膜层的厚度为0.01微米至5微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州中来太阳能材料技术有限公司，未经苏州中来太阳能材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920220235.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
