[实用新型]闪存储存装置吸附结构无效
| 申请号： | 200920218190.9 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN201527871U | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 庄裕雄;江秋燕 | 申请（专利权）人： | 华东承启科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 周春发;艾晶 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 储存 装置 吸附 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种闪存储存装置吸附结构，该闪存储存装置运用于吸附于一金属物质上，其特征在于：该闪存储存装置具有一供产生磁力的吸附体，于该吸附体内侧面披覆有一供削减往该闪存储存装置内部的磁力线的防磁层。
2.如权利要求1所述的闪存储存装置吸附结构，其特征在于，更包括一与该吸附体相扣合的由磁性材料制成的盖体。
3.如权利要求2所述的闪存储存装置吸附结构，其特征在于，该盖体为磁粉、磁铁或软性磁铁结构盖体。
4.如权利要求1所述的闪存储存装置吸附结构，其特征在于，该吸附体为一磁铁或软性磁铁结构。
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