[实用新型]集成光学强度调制器有效
| 申请号： | 200920217531.0 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN201569819U | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 向美华;耿凡;薛挺 | 申请（专利权）人： | 北京浦丹光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100023 北京市经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 光学 强度 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成光学强度调制器，其特征在于：其由晶体基底(1)、Y型波导(2)、斜通臂波导(3)和波导电极(4)构成；在晶体基底(1)上制有Y型波导(2)和斜通臂波导(3)，Y型波导(2)的三个分支为直通臂波导(5)、分支A(6)和分支B(7)，斜通臂波导(3)位于直通臂波导(5)靠近Y型波导(2)交叉点的边缘，Y型波导(2)与斜通臂波(3)导共同构成一个集成耦合器(8)，其仅能传播0阶模，不能传播1阶模；晶体基底(1)的输入端和输出端分别设有一个集成耦合器(8)，两个耦合器的两条分支分别相互连通；在晶体基底(1)之上、集成耦合器(8)两分支的两侧和中央制有波导电极(4)。
2.按照权利要求1所述的集成光学强度调制器，其特征在于：所述晶体基底(1)的输入端设有一Y型波导(2)，Y型波导(2)的两分支与电晶体基底(1)输出端的集成耦合器(8)的两分支分别连通，在输入端Y型波导(2)的直通臂波导(5)两侧设有波导电极(4)。
3.按照权利要求1所述的集成光学强度调制器，其特征在于：所述晶体基底(1)为电光晶体基底或热光晶体基底；电光晶体基底为铌酸锂或钽酸锂基底；热光晶体基底为硅或玻璃基底。
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