[实用新型]半导体承载结构

权利要求书

1.一种半导体承载结构，其特征在于，其包括由塑料所制成的具有一导热区的承载体，所述承载体在各表面形成有一介面层，再在所述介面层上方界定形成有一绝缘线路与金属层，所述绝缘线路位于所述导热区所在表面以及由所述导热区两相邻表面所环绕延伸的环形区域而同时使所述承载体的部分表面暴露，以将介面层上的金属层形成至少两电极。

2.如权利要求1所述的半导体承载结构，其特征在于，所述导热区是一立体导热结构所形成的反射杯。

3.如权利要求1所述的半导体承载结构，其特征在于，所述导热区是承载体在内部设置的至少一导热体，使所述导热体的顶部具有传导热的导热面。

4.如权利要求1所述的半导体承载结构，其特征在于，所述承载体的导热区是一导热体延伸一立体导热结构所形成的反射杯，所述反射杯底部形成一穿孔，所述导热体设于所述穿孔内，使所述导热体顶部形成为所述反射杯底部。

5.如权利要求4所述的半导体承载结构，其特征在于，所述承载体与所述导热体的表面上形成一介面层，所述介面层上进而包括移除一部份介面层以形成的绝缘线路，与分别设于所述绝缘线路两侧的金属层，所述金属层用于互连承载体与导热体。

6.如权利要求5所述的半导体承载结构，其特征在于，所述承载体与所述导热体间更包含一接触面，所述接触面以一金属层充填。

7.如权利要求1所述的半导体承载结构，其特征在于，所述导热体进而包括粘设一发光二极管晶片，所述晶片至少有一接点通过金属导线连接相对应的金属层。

8.如权利要求1所述的半导体承载结构，其特征在于，所述承载体至少一侧延伸形成至少一侧臂，所述承载体与所述侧臂在各表面形成一介面层，再在所述承载体与所述侧臂上界定形成一第一绝缘线路、第二绝缘线路与金属层，当所述侧臂分割所述承载体后，所述侧臂接触承载体的两侧形成分割面，使所述分割面与第一绝缘线路、第二绝缘线路用以形成一环形区域，以将介面层上的金属层形成至少两电极。

9.如权利要求1所述的半导体承载结构，其特征在于，所述承载体为包含预先掺杂金属触媒的塑料、液晶高分子聚合物、包含预先掺杂有机物的塑料或液晶高分子聚合物材料所制得，所述金属触媒或有机物包括钯、铜、银或铁。

10.如权利要求1所述的半导体承载结构，其特征在于，所述承载体为无掺杂金属触媒的塑料或液晶高分子聚合物、或无掺杂有机物的塑料或液晶高分子聚合物所制得。

11.一种半导体承载结构，其特征在于，其包括由塑料所制成的一承载体，所述承载体在各表面形成有一介面层，再在所述介面层上方界定形成有一绝缘线路与金属层，所述绝缘线路由两相邻表面所环绕延伸的环形区域而同时使所述承载体的部分表面暴露，以将介面层上的金属层形成至少两电极。

12.如权利要求11所述的半导体承载结构，其特征在于，所述承载体至少一侧延伸形成至少一侧臂，所述承载体与所述侧臂在各表面形成一介面层，再在所述承载体与所述侧臂上界定形成一第一绝缘线路、第二绝缘线路与金属层，当所述侧臂分割所述承载体后，所述侧臂接触承载体的两侧形成分割面，使所述分割面与第一绝缘线路、第二绝缘线路用以形成一环形区域，以将介面层上的金属层形成至少两电极。

13.如权利要求11所述的半导体承载结构，其特征在于，所述承载体包含预先掺杂金属触媒的塑料或液晶高分子聚合物、或包含预先掺杂有机物的塑料或液晶高分子聚合物材料所制得，所述金属触媒或有机物包括钯、铜、银或铁。

14.如权利要求11所述的半导体承载结构，其特征在于，所述承载体为无掺杂金属触媒的塑料或液晶高分子聚合物、或无掺杂有机物的塑料或液晶高分子聚合物所制得。