[实用新型]多功能金属刻蚀机

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种金属刻蚀机，具体涉及一种多功能金属刻蚀机。

背景技术

目前半导体生产中使用的金属刻蚀设备通常具备刻蚀和去胶的功能，但是后续的洗净则在湿法设备中独立进行，这样分步处理光刻胶和清洗残留物。

由于铝的刻蚀中必须用到Cl₂、F等腐蚀性极强的物质，因此其刻蚀副产物中的Cl、F的含量也比较高。而现有金属刻蚀设备的去胶功能的主要作用是去除光刻胶，对刻蚀副产物的去除能力却非常有限。因此，刻蚀设备处理后的硅片上，铝线和刻蚀副产物共存，硅片遇到空气、水汽很容易发生铝腐蚀，尤其当净化间环境有变化时，制品很容易因铝腐蚀而废弃，造成很大的损失。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种多功能金属刻蚀机，它可以防止刻蚀后的硅片由于携带Cl、F等刻蚀残留物而造成的铝线腐蚀。

为解决上述技术问题，本实用新型多功能金属刻蚀机的技术解决方案为：

包括刻蚀腔、去胶腔、清洗腔、缓冲减压腔、对准腔、传送腔；刻蚀腔、去胶腔、清洗腔、对准腔、传送腔设置于缓冲减压腔的周围并与缓冲减压腔连通形成封闭的腔体；缓冲减压腔与刻蚀腔、去胶腔、传送腔、对准腔、清洗腔之间分别设有密封阀门；传送腔的一侧设有硅片盒；传送腔与硅片盒之间设置第一机械手，传送腔、清洗腔分别设有通向硅片盒的外门；缓冲减压腔内设置有第二机械手；清洗腔内设有硅片台。

所述硅片台为恒温装置。

所述刻蚀腔、去胶腔、清洗腔分别为一个或多个。

所述缓冲减压腔的压力变化范围为200mt到200t。

本实用新型可以达到的技术效果是：

本实用新型具有金属刻蚀、去胶、清洗等多种功能，使处理后硅片上没有刻蚀残留物，减少铝线腐蚀的风险。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

图1是本实用新型多功能金属刻蚀机的分解示意图。

图中附图标记说明：

1为清洗腔，       2为去胶腔，       3为刻蚀腔，

4为对准腔，       5为缓冲减压腔，   6为传送腔，

7、8为机械手，    10为硅片盒。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型多功能金属刻蚀机，包括两个刻蚀腔3、两个去胶腔2、两个清洗腔1、一个缓冲减压腔(buffer-ch)5、一个对准腔4、一个传送腔6、两组机械手7、8；刻蚀腔3、去胶腔2、清洗腔1、对准腔4、传送腔6均布于缓冲减压腔5的周围并与缓冲减压腔5连通形成封闭的腔体；缓冲减压腔5与刻蚀腔3、去胶腔2、传送腔6、对准腔4、清洗腔1之间分别设有密封阀门，以防止泄露真空。

传送腔6的一侧设有硅片盒10；传送腔6与硅片盒10之间设置第一机械手7，第一机械手7用于硅片在硅片盒10和传送腔6或清洗腔1之间的传送；传送腔6设有通向硅片盒10的外门。

清洗腔1设有通向硅片盒10的外门。硅片通过密封阀门从缓冲减压腔5进入清洗腔1，密封阀门打开前清洗腔1内的压力能够降低到100～200t，使清洗腔1的压力与缓冲减压腔5接近，以方便硅片的传送；外门用于将处理完的硅片放回硅片盒10，外门打开时清洗腔1内为大气状态。

清洗腔1内设有硅片台，硅片台为恒温装置，可以将硅片温度降低到30～40度。

缓冲减压腔5内设置有第二机械手8，第二机械手8用于硅片在缓冲减压腔5与各工艺腔之间的传送。

对准腔4用于硅片的方向对准。

缓冲减压腔5的压力变化范围可以从200mt(毫托)到200t(托torr)。

刻蚀腔3、去胶腔2、传送腔6的工艺压力不同，但刻蚀腔3、去胶腔2、清洗腔1、缓冲减压腔5、对准腔4、传送腔6的真空度能够根据不同的工艺需要进行调节，硅片在两个腔体之间传送时，通过调节真空度使两个腔体的压力平衡，从而解决了两个腔体的真空度差异的问题，减少气压不稳定造成的颗粒影响。

本实用新型的工作过程如下：

1、传送腔6的外门打开，第一机械手7将待处理硅片从硅片盒10中取出传送到传送腔6内；

2、关闭传送腔6的密封阀门、外门，对传送腔6抽真空，使其真空度为200～300mt；然后打开传送腔6的密封阀门，使传送腔6与缓冲减压腔5连通，通过第二机械手8将硅片从传送腔6送到缓冲减压腔5内后，关闭传送腔6的密封阀门；