[实用新型]防止酸液喷溅的挡板有效
申请号: | 200920209618.3 | 申请日: | 2009-09-11 |
公开(公告)号: | CN201562669U | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 李广宁;曾玉帆 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 喷溅 挡板 | ||
技术领域
本实用新型设计半导体制造领域,且特别涉及一种设置于机台腔室之间防止酸液喷溅的挡板。
背景技术
在集成电路中,制造铜导线的方法是以化学电镀(Electro-Chemical Plating)设备在已沉积铜晶种层上电镀一层铜薄膜。电镀后,晶圆上铜薄膜的周围一圈总是产生剥落的情形,以至于造成后续工艺粒子污染或合格率低的情况。因此在化学电镀工艺后,增加一道工艺以洗去晶圆上周围一圈的铜薄膜,以避免铜薄膜剥落所产生的后续问题。
在已知的化学电镀设备中,设备商已经设计了一个洗边组件用来洗去晶圆上周围一圈的铜薄膜。已知洗边工艺借助洗边组件在电镀后晶圆的周围一圈喷洒用来溶解铜薄膜的溶液,以去除周围的铜薄膜。常用来溶解铜薄膜的溶液包含硫酸、过氧化氢和去离子水的混合物。
然而,同一机台内相邻腔室在对晶圆进行洗边处理的过程中,由于晶圆在腔室内旋转,有可能造成其中的酸液飞溅到腔室之外,从而滴在邻近的腔室已经处理完毕的晶圆表面,形成随机的坑状缺陷。由于这类坑状缺陷容易造成晶圆报废,因此其降低了产品的良率。
实用新型内容
本实用新型提出一种防止酸液喷溅的挡板,设置于机台腔室之间,可有效避免坑状缺陷的发生,从而提高产品良率。
为了达到上述目的,本实用新型提出一种防止酸液喷溅的挡板,设置于机台腔室之间,所述挡板包括挡板部和固定部,其中挡板部的形状与机台腔室相配合,固定部设置在腔室之间的机台上,挡板部装设于固定部上。
进一步的,所述固定部包括底座,以及底座上部的两个卡合板,所述挡板部卡入两个卡合板中固定。
进一步的,所述底座具有螺栓将底座固定于机台上。
进一步的,所述挡板部为周边具有第一长方形缺口、第二长方形缺口和凸字形缺口的多边形挡板。
进一步的,所述挡板部为周边具有第三长方形缺口和第四长方形缺口的多边形挡板。
本实用新型提出的防止酸液喷溅的挡板,设置于机台腔室之间,其中挡板部的高度和宽度用于足以防止酸液喷溅至其他相邻腔室的情况发生,可有效避免坑状缺陷的发生,从而提高产品良率。同时挡板部的形状与机台腔室相配合,不会影响机台腔室的正常使用,挡板部可拆卸地装设于固定部的两个卡合板之间,便于清洗或替换。
附图说明
图1所示为本实用新型较佳实施例的防止酸液喷溅的挡板结构示意图。
图2所示为本实用新型较佳实施例的挡板部的示意图。
图3所示为本实用新型较佳实施例的固定部的侧视图。
图4所示为本实用新型较佳实施例的固定部的俯视图。
图5所示为本实用新型又一较佳实施例的挡板部的示意图。
图6所示为本实用新型又一较佳实施例的固定部的侧视图。
图7所示为本实用新型又一较佳实施例的固定部的俯视图。
具体实施方式
为了更了解本实用新型的技术内容,特举具体实施例并配合所附图说明如下。
本实用新型提出一种防止酸液喷溅的挡板,设置于机台腔室之间,可有效避免坑状缺陷的发生,从而提高产品良率。
请参考图1,图1所示为本实用新型较佳实施例的防止酸液喷溅的挡板结构示意图。本实用新型提出一种防止酸液喷溅的挡板,设置于机台腔室之间,所述挡板包括挡板部100和固定部200,其中挡板部100的形状与机台腔室相配合,固定部200设置在腔室之间的机台上,挡板部100装设于固定部200上。
请参考图2,图2所示为本实用新型较佳实施例的挡板部的示意图。所述挡板部100为周边具有第一长方形缺口110、第二长方形缺口120和凸字形缺口130的多边形挡板。其中挡板部100的多边形形状与机台腔室相配合,用户选择挡板部100的任一边装设于固定部200上,具体要求按照不会影响机台腔室的正常使用装设,例如不会影响腔室盖子的升降,本实施例选择具有凸字形缺口130的一边装设。挡板部100的高度和宽度用于足以防止酸液喷溅至其他相邻腔室的情况发生,可有效避免坑状缺陷的发生,从而提高产品良率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造