[实用新型]一种多晶硅氢化炉用新型设备法兰

说明书

技术领域：

本实用新型涉及多晶硅制造技术，特别涉及多晶硅氢化炉，具体的是一种多晶硅氢化炉用新型设备法兰。

背景技术：

多晶硅是半导体、大规模集成电路和太阳能产业的重要基础原材料。现有技术中广泛采用SiHCl₃还原法制备多晶硅。生成SiHCl₃的过程在多晶硅氢化炉中进行，主要反应为上述反应要求温度控制在1250℃左右。多晶硅氢化炉使用条件苛刻，多晶硅氢化炉上的设备法兰不仅要连接到内筒体，而且还要连接到夹套上，结构和受力复杂。设备法兰上。现有技术中多晶硅氢化炉上的设备法兰受力不合理，所受轴向应力过大，而径向应力和环向应力却很小，导致所需螺栓面积增大，恶化设计条件，浪费材料。

发明内容：

本实用新型的目的在于提供一种多晶硅氢化炉用新型设备法兰，所述的这种多晶硅氢化炉用新型设备法兰要解决现有技术中多晶硅氢化炉的设备法兰所受轴向应力过大、而径向应力和环向应力却很小的技术问题。

本实用新型的这种多晶硅氢化炉用新型设备法兰由法兰盘构成，其中，所述的法兰盘内表面堆焊不锈钢材料，下表面设置有一个衬环，法兰盘的上端面中沿圆周方向设置有一个环状槽，所述的环状槽内侧的法兰盘上端面的高度大于环状槽外侧的法兰盘上端面的高度。

进一步的，环状槽内侧的法兰盘上端面上焊接有多晶硅氢化炉内筒，环状槽外侧的法兰盘上端面上焊接有多晶硅氢化炉夹套。

进一步的，所述的环状槽的截面底部呈曲线。

具体的，法兰盘采用碳钢材料制造，内表面堆焊不锈钢材料。衬环焊在法兰盘下表面，使用不锈钢材料。

本实用新型的工作原理是：设备法兰受力点在内筒、夹套、螺栓、垫圈和垫片上，所受弯矩明显较不带夹套时小，在此结构的基础上可以采用整体法兰厚度计算方法，考虑颈部大端和颈部小端厚度为内筒处和夹套处的叠加厚度，筒体厚度为内筒和夹套厚度的叠加值，可以减小设备法兰的计算厚度，进而减小螺栓、螺母、垫圈的规格和数量，节约材料。

本实用新型和已有技术相比较，其效果是积极和明显的。本实用新型在法兰盘的上端面中沿圆周方向设置有环状槽，所述的环状槽内侧的法兰盘上端面的高度大于环状槽外侧的法兰盘上端面的高度，环状槽内侧的法兰盘上端面上焊接有多晶硅氢化炉内筒，环状槽外侧的法兰盘上端面上焊接有多晶硅氢化炉夹套，受力点在内筒、夹套、螺栓、垫圈和垫片上，所受弯矩明显较不带夹套时小，在此结构的基础上可以采用整体法兰厚度计算方法，考虑颈部大端和颈部小端厚度为内筒处和夹套处的叠加厚度，筒体厚度为内筒和夹套厚度的叠加值，可以减小设备法兰的计算厚度，进而减小螺栓、螺母、垫圈的规格和数量，节约材料。

附图说明：

图1是本实用新型的多晶硅氢化炉用新型设备法兰的剖面结构示意图。

图2是本实用新型的多晶硅氢化炉用新型设备法兰的局部结构示意图。

具体实施方式：

实施例1：

如图1和图2所示，本实用新型的多晶硅氢化炉用新型设备法兰，由法兰盘2构成，其中，所述的法兰盘2中设置有一个衬环1，所述的衬环1设置在法兰盘2内壁上，衬环1的下端向法兰盘2的下端面翻折并扩张延伸，法兰盘2的上端面中沿圆周方向设置有一个环状槽，所述的环状槽内侧的法兰盘2上端面的高度大于环状槽外侧的法兰盘2上端面的高度。

进一步的，环状槽内侧的法兰盘2上端面上焊接有多晶硅氢化炉内筒4，环状槽外侧的法兰盘2上端面上焊接有多晶硅氢化炉夹套3。

进一步的，所述的环状槽的截面底部呈曲线。

具体的，法兰盘2采用碳钢材料制造，内表面堆焊不锈钢材料。衬环1焊法兰盘2下表面，使用不锈钢材料。

本实施例的工作原理是：法兰盘2与内筒4连接部分采用带颈形式，设备盘2与夹套3连接部分也采用带颈形式，并在颈根加工过渡区，改善了设备法兰受力状况。设备法兰受力点在内筒4、夹套3、螺栓、垫圈和垫片上，所受弯矩明显较不带夹套3时小，在此结构的基础上可以采用整体法兰厚度计算方法，考虑颈部大端和颈部小端厚度为内筒4处和夹套3处的叠加厚度，筒体厚度为内筒4和夹套3厚度的叠加值，可以减小设备法兰的计算厚度，进而减小螺栓、螺母、垫圈的规格和数量，节约材料。