[实用新型]一种激光器倍频晶体的加热装置

权利要求书

1.一种激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于，包括：容置倍频晶体的倍频晶体座、及容置半导体致热片的半导体致热片安装座，所述半导体致热片安装座位于倍频晶体座的下方、并与倍频晶体座间隔一定距离，所述半导体致热片伸出半导体致热片安装座一定距离，且半导体致热片的上表面贴紧倍频晶体座的下表面，且所述半导体致热片位于倍频晶体的下方。

2.如权利如权利要求1所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于：所述倍频晶体座与半导体致热片安装座外侧的四周都填充有使所述半导体致热片处于密封空间的绝热胶。

3.如权利要求1所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于：还包括容置在倍频晶体座下方的温度传感器，该温度传感器位于倍频晶体的正下方。

4.如权利要求3所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于：所述所述温度传感器的线从半导体致热片安装座的穿线孔内穿出。

5.如权利要求4所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于：所述穿线孔内填充有绝热胶。

6.如权利要求1所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于：所述倍频晶体座的上端设有固定倍频晶体的倍频晶体盖。

7.如权利要求6所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于：所述倍频晶体座与倍频晶体盖之间锁紧螺钉。