[实用新型]PIN-TIA光接收器

说明书

技术领域

本实用新型涉及光接收器，尤其涉及一种PIN二极管的TIA光接收器。

背景技术

在现有社会中，光通信技术广泛应用在通信领域，在光纤通信技术中，光接收器是一个重要器件。现有技术中，常的光接收器包括：PIN-TIA(PIN：在P区和N区之间夹一层本征半导体构造的晶体二极管，简称“PIN二极管”；TIA：Transimpedance amplifier，跨阻放大器，简称“TIA”)光接收器和APD-TIA(APD：Avalanche Photo Diode，雪崩二极管，简称“APD”；TIA：Transimpedance amplifier，跨阻放大器，简称“TIA”)光接收器。通常PIN-TIA光接收器只能适用于光纤传输80公里内的信号接收，超过80公里光纤传输信号的接收通常采用APD-TIA光接收器。因此，现在技术中，对于100公里左右距离的光纤传输也必须采用APD-TIA光接收器的技术方案，但采用APD-TIA光接收器的技术方案不仅需要有很高的反向偏压(通常为几十伏)，而且还需要很好的温度补偿来作为支持，技术复杂。同时，采用APD-TIA光接收器的技术方案成本远远高于采用PIN-TIA光接收器的技术方案。

实用新型内容

本实用新型构建一种PIN-TIA光接收器，克服现有技术中对于100公里左右距离的光纤传输采用APD-TIA光接收器的技术方案，技术复杂、成本高的技术问题。

本实用新型的技术方案是：构建一种PIN-TIA光接收器，包括透镜、光纤、光电二极管，所述透镜位于所述光电二极管和所述光纤之间，其特征在于，所述透镜上设置增透膜，所述增透膜为五层，在透镜上的镀膜依次为：二氧化硅、五氧化二钽、二氧化硅、五氧化二钽、二氧化硅。

本实用新型的进一步技术方案是：在所述光纤端面设置增透膜，所述增透膜为五层，在光纤端面上的镀膜依次为：二氧化硅、五氧化二钽、二氧化硅、五氧化二钽、二氧化硅。

本实用新型的进一步技术方案是：所述增透膜各层厚度范围为：二氧化硅为180～193nm、五氧化二钽为130～140nm、二氧化硅为180～193nm、五氧化二钽为130～140nm、二氧化硅为180～193nm。

本实用新型的进一步技术方案是：所述增透膜各层厚度为：二氧化硅为186.7nm、五氧化二钽为135nm、二氧化硅为186.7nm、五氧化二钽为135nm、二氧化硅为186.7nm。

本实用新型的进一步技术方案是：还包括控制板、滤波电容、电源，将所述控制板的VCC引脚连接到所述滤波电容CVCC，再将所述滤波电容CVCC连接到电源VCC引脚。

本实用新型的进一步技术方案是：还包括电源、控制板、光电二极管、输出元器件，所述电源与所述控制板之间通过滤波电容设置电源输出线，所述控制板与所述光电二极管及所述输出电子元器件之间设置电信号连接线，缩短所述电信号输出线和所述电信号连接线的长度。

本实用新型的进一步技术方案是：将所述滤波电容的连接点与所述电源的VCC引脚靠近设置，缩短所述滤波电容与所述电源的VCC引脚的电连接线W4的长度。

本实用新型的进一步技术方案是：还包括控制板、光电二极管、输出元器件，所述控制板与所述光电二极管之间设置电信号输入连接线W2，所述控制板与所述输出电子元器件之间设置电信号输出连接线，所述电信号输入连接线与所述电信号输出连接线分隔开。

本实用新型的进一步技术方案是：还包括控制板、光电二极管、输出元器件，所述控制板与所述光电二极管及所述输出电子元器件之间设置电信号连接线，控制板上还设置接地线W5，所述电信号连接线与所述接地线垂直。

本实用新型的技术效果是：构建一种PIN-TIA光接收器，在光接收器中的透镜上设置增透膜，增强光的透过率，提高光接收器的灵敏性。在100公里左右的光纤传输中采用这种PIN-TIA光接收器，不仅技术方案简化，而且大大节约了成本。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的镀膜层结构示意图。

图3为本实用新型的内部结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型技术方案进行进一步说明：