[实用新型]并联钳位反激电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种反激电路，尤其是一种电源并联钳位反激电路。

背景技术

请参考如图1所示，为现有技术中并联反激的普通电路。每个变压器源边均接入了RCD复位电路，当Q1导通时，变压器T1源边储存能量，T2将能量传递到副边，此时，二极管D2正偏，向负载提供能量，同时通过RCD对变压器进行复位；当Q2导通时，变压器T2源边储存能量，由于Q1关断，T1变压器源边绕组极性反转，副边二极管D1正偏导通，将源边的能量释放到输出负载，同时给输出电容充电，并通过RCD进行复位。

因当MOS管关断，变压器源边将能量传递到副边的同时，源边通过RCD进行复位，变压器源边漏感的能量全部消耗在电阻上面，导致变换效率低，同时，还需要一个电容对变压器源边进行钳位，以避免漏感能量过大，产生过大的电压应力，可能导致MOS管的损坏。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术可能产生变换效率低的缺陷，提供一种可以提高变换效率的电路。

为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：

并联钳位反激电路，其包括有两个场效应管、PWM控制芯片、两个变压器及两个二极管，其中：其还进一步包括两个输入电容，所述的两个输入电容串联并将输入电压分成Vin/2，所述的两个变压器的公共端连接到一半的输入电压处，两个场效应管与PWM控制芯片及两个变压器相连，第一个二极管的负极与第一场效应管相连，正极与输入电压的负端相连；第二个二极管的负极与输入电压的正端相连，正极与第二场效应管相连。

优选地，上述的两个场效应管为N沟道型金属氧化物半导体场效应管，所述的场效应管的栅极与所述的PWM控制芯片相连。

优选地，上述的两个变压器并联，使其中一个变压器储能时，另一变压器的漏感返回到电源中去，同时进行磁复位。

上述的第一变压器的另一端，通过第一场效应管连接到输入电压的正端；所述的第二变压器的另一端，通过第二场效应管连接到输入电压的负端。

上述的第一变压器的另一端，与所述的第一场效应管的源极相连。

上述的第二变压器的另一端，与所述的第二场效应管的漏极相连。

上述的PWM控制芯片为电压型控制芯片。

上述的PWM控制芯片为电流型控制芯片。

上述的PWM电压型控制芯片输出两个脉宽调制信号，通过原边驱动电路连接到两个场效应管，让变压器源边钳位于一半的输入电压。

上述的PWM电流型控制芯片输出两个脉宽调制信号，通过原边驱动电路连接到两个场效应管，让变压器源边钳位于一半的输入电压。

采用上述技术方案后，在使用过程中，当场效应管关断时，变压器源边的漏感中能量全部反馈到输入电容中去，没有形成损耗，另通过输入电容将变压器源边钳位在Vin/2的电压处进行复位，省去了原来电路中的RCD复位单元，减少了电源的体积，同时，降低了损耗，提高了变换效率。

附图说明

图1为现有技术中并联反激电路；

图2为本实用新型一种并联钳位反激电路原理图；

图3为本实用新型的工作时序图。

具体实施方式

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。

如图2所示，其为本实用新型的电路原理图，包括两个场效应管Q1、Q2、PWM控制芯片、两个变压器T1、T2，两个输入电容C1、C2及两个二极管D3、D4，其中：

两个场效应管Q1、Q2为N沟道型金属氧化物半导体场效应管，所述的场效应管Q1、Q2的栅极连接至PWM控制芯片，场效应管Q1的源极与二极管D3的负极相连，二极管D3的正极与输入电压的负端相连；场效应管Q2的漏极与二极管D4的正极相连，二极管D4的负极与输入电压的正端相连。

PWM控制芯片为电压型控制芯片或电流型控制芯片，在本实施例中，其为电压型控制芯片。

两个输入电容C1、C2串联并将输入电压分成Vin/2。

两个变压器T1、T2并联，公共端连接到一半的输入电压处，T1的另一端与Q1的源极相连，T2的另一端与Q2的漏极相连，且T1的另一端与场效应管Q1的源极相连，场效应管Q1的漏极与输入电压的正端相连；T2的另一端与场效应管Q2的漏极相连，场效应管Q2的源极与输入电压的负端相连。