[实用新型]一种射频电源装置有效

专利信息
申请号: 200920204079.4 申请日: 2009-08-25
公开(公告)号: CN201478679U 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 高云峰;叶建国;谢根华;张建群 申请(专利权)人: 深圳市大族激光科技股份有限公司
主分类号: H01S3/0977 分类号: H01S3/0977
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 电源 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种射频电源装置。

背景技术

在气体激光器激励方面,特别是快速轴流CO2激光器,都是用直流放电来激励的。谐振腔内的CO2分子在DC电流的激励下,由基态跃迁到高能级,形成粒子数的反转,然后迅速跌至低能层,放出的光子在前,后窗镜间反复振荡,谐振后形成光的放大,50%经前窗镜射出后形成激光。DC电场的电极都安装在谐振腔玻璃管内或接头处,和放电气体直接接触。使用没多长时间,激光器的谐振腔和光学镜片,便被这些金属粒子的涂层污染了,导致激光器功率下降,放电不均匀,光束质量和模式变差。不难发现,DC电场的金属电极,被电离和剥蚀了。究其原因,是由于电离后的气体,及罗茨泵漏出的油蒸汽,在放电所产生的高温中(最高可达200℃),以亚音速流动时(约300米/秒),对电极的金属表面进行冲击,产生了阴极的溅射和剥蚀,引起了材料的损耗。罗茨泵内漏出的润滑油,又把这些溅射后剥蚀的金属粒子,黏附在谐振腔的管壁和光学镜片上,造成了污染,既破坏了激光器的性能,又降低了这些器件的寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种射频电源装置,其采用无线电射频的激励方式,射频的电极被放置在谐振腔外,不和放电气体接触,射电的频率从一万到三百万兆赫,隔着玻璃激励腔内的气体,进行电离和放电,从而避免电极溅射和腐蚀引起谐振腔及光学器件污染。

本实用新型所提出的技术方案是:一种射频电源装置,包括:多路输出同步信号源、多路功率放大器、多路匹配器和多路放电电极等;其中,所述匹配器的输出连接所述放电电极并与之匹配,所述匹配器的输入连接所述功率放大器的输出并与之匹配;所述多路输出同步信号源的输出,接入多路所述功率放大器的输入端;多路所述功率放大器对输入的射频信号进行同步放大,多路所述匹配器对多路所述放电电极进行射频放电,多路所述放电电极内的气体产生辉光放电。

其中,所述多路输出同步信号源安装在金属外壳内,且该多路同步信号源内部用石英晶体振荡器产生射频振荡,并用一分配器对该射频振荡信号进行分配并多路输出。

其中,所述功率放大器安装在带水冷却的金属外壳内,该功率放大器为非线性放大器,且该功率放大器内置的功放管工作在开关状态。

其中,所述放电电极位于放电管内,放电电极的放电的投影为长矩形,放电电极的横切面为短矩形,两根相同的所述放电电极对称的排列于放电管内,形成一对放电电极。

其中,还包括直流供电电源,所述直流供电电源同时分别向多个所述功率放大器供电。

其中,所述直流供电电源还包括调节所述功率放大器的输出功率的输出斩波器,所述输出斩波器是由二极管和IGBT组成,所述IGBT由一控制器控制,所述IGBT工作于开关状态。

其中,所述直流供电电源还包括:把输入的380V降压至160~170V的三相变压器、三相整流桥和滤波电容,经过所述三相整流桥整流和所述滤波电容的滤波,产生直流电源,通过所述输出斩波器对所述射频电源装置供电。

其中,所述匹配器还包括:输入平衡变压器、并联电容器、串联电感器和可调电容器,所述可调电容器并联于所述匹配器的输出端口上,所述串联电感器的一端连接于输出端口的阳极端,另一端连接于所述并联电容器的一端,所述并联电容器的另一端连接于输出端口的阴极端,所述输入平衡变压器的输出端口并联于所述并联电容器的两端上,所述输入平衡变压器的输入端口并联于所述匹配器的输入端口上。

其中,所述功率放大器还包括:推挽输出变压器、MOSFET、MOSFET驱动器、及正负半周分离器,其中,一对所述MOSFET连接于所述推挽输出变压器的初级的两端,所述推挽输出变压器的输出端连接于所述功率放大器的输出端上,一对所述MOSFET驱动器分别连接于一对所述MOSFET上,所述正负半周分离器的正半周和负半周输出端口分别连接于一对所述MOSFET驱动器的输入端上,所述正负半周分离器的输入端连接于所述功率放大器的输入端上。

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