[实用新型]一种匣钵有效
申请号: | 200920199102.5 | 申请日: | 2009-10-20 |
公开(公告)号: | CN201548067U | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 冯维银 | 申请(专利权)人: | 冯维银 |
主分类号: | F27D5/00 | 分类号: | F27D5/00 |
代理公司: | 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 | 代理人: | 韩洪 |
地址: | 313109 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 匣钵 | ||
技术领域
本实用新型涉及用于烧成电子元件的一种匣钵。
背景技术
在电子技术领域中,电子元件需要在窑炉中进行高温烧结,烧结时将电子元件放在匣钵中,然后放入窑炉进行烧结处理。参考专利CN201297855,在用整体结构匣钵没有膨胀缝,由于匣钵结构复杂,匣钵制造中产生的应力和使用中出现的热应力很大,无法消除,逐渐形成裂纹,造成匣钵损坏。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种匣钵,在制造以及使用的过程中能够有效地减少受到的应力,提高抗热抗震效果,使用寿命长。
为解决上述现有的技术问题,本实用新型采用如下方案:一种匣钵,包括匣底和匣墙,所述匣底的四边上均设有一条第一膨胀缝,所述匣墙四壁上均设有一条与第一膨胀缝对应的第二膨胀缝。
作为优选,所述第一膨胀缝垂直于对应的匣墙壁。便于开缝。
作为优选,所述第二膨胀缝垂直于匣底。便于开缝。
作为优选,所述第一膨胀缝与第二膨胀缝为一体成型结构。可以在匣钵成型中一次成型,也可以再匣钵制成后一体切割。
作为优选,所述第一膨胀缝的长度为匣底边长的1/7~1/3。
作为优选,所述第二膨胀缝的高度小于匣墙的高度。
作为优选,所述第一膨胀缝以及第二膨胀缝的宽度为0.5~3mm。可以根据匣钵的大小、结构做适当的调整。
有益效果:
本实用新型采用上述技术方案提供一种匣钵,在匣钵的适当位置上设置膨胀缝,在制造以及使用的过程中能够有效地减少受到的应力,提高了抗热抗震效果,使用寿命长。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为图1中A-A面的剖视图。
具体实施方式
如图1和图2所示,一种匣钵,包括匣底1和匣墙2,所述匣底1的四边上均设有一条第一膨胀缝3,所述匣墙2四壁上均设有一条与第一膨胀缝3对应的第二膨胀缝4。所述第一膨胀缝3垂直于对应的匣墙2壁。所述第二膨胀缝4垂直于匣底1。所述第一膨胀缝3与第二膨胀缝4为一体成型结构。所述第一膨胀缝3的长度为匣底1边长的1/7~1/3。所述第二膨胀缝4的高度小于匣墙2的高度。所述第一膨胀缝3以及第二膨胀缝4的宽度为0.5~3mm。在匣钵的适当位置上设置膨胀缝,在制造以及使用的过程中能够有效地减少受到的应力,提高了抗热抗震效果,使用寿命长。膨胀缝可以在匣钵成型中一次成型,也可以再匣钵制成后一体切割,开缝方法简单,加工方便,便于实施。
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