[实用新型]一种电源管理装置无效

专利信息
申请号: 200920195347.0 申请日: 2009-09-24
公开(公告)号: CN201576955U 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 罗先能 申请(专利权)人: 东莞市太平洋计算机科技有限公司
主分类号: H02J9/06 分类号: H02J9/06;H02J7/00;H02M3/155;G05D23/19
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人: 梁永宏
地址: 523010 广东省东莞市莞城区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 管理 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及电源技术领域,特别是涉及一种电源管理装置。

背景技术

随着社会的发展,各种便携式设备逐渐进入人们的生活。由于便携式设备体积轻小、携带方便,因而具有逐步成为市场主体的趋势。随着RFID电子标签行业标准的不断完善,相关技术不断研究和发展,各种符合标准的新型RFID便携式阅读器不断上市,其给人们的生活带来很大方便。然而,现有技术中,RFTD便携式阅读器一般是以电池来供电的,几乎都存在功耗过大,电源使用效率不高,电池工作时间不长等问题,无法满足要求。因此,有必要对现有的电源进行管理优化,以提高电源的损耗,延长电池的工作时间。

因此,针对现有技术不足,提供一种电源管理装置以减小电源损耗,延长电池工作时间甚为必要。

发明内容

本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种能够减小电源损耗、延长电池工作时间的电源管理装置。

本实用新型的目的通过以下技术措施实现:

一种电源管理装置,所述电源管理装置的输入端与外部电源、电池连接,所述电源管理装置包括电源自动切换电路、充电电路和供电电路,

所述电源自动切换电路设置有对所述供电电路供电的电源输出端和用于对所述充电电路进行工作或者停止控制的控制输出端,所述充电电路设置有用于对所述充电电路进行工作或者停止控制的充电控制端,所述供电电路包括一套或者一套以上的供电单元电路,所述供电单元电路设置有用于对所述供电单元电路进行工作或者停止控制的供电控制端,

所述电源自动切换电路的电源输出端与所述供电电路的输入端连接,所述电源自动切换电路的控制输出端与所述充电电路的充电控制端连接,所述充电电路的输入端与所述电源自动切换电路的电源输出端连接,所述充电电路的输出端与所述电池连接。

优选的,上述一种电源管理装置还包括温度控制电路,所述温度控制电路设置有对所述温度控制电路进行工作或者停止控制的温度控制端,所述充电电路设置有温度反馈输入端,

所述电源自动切换电路的控制输出端还与所述温度控制电路的温度控制端连接,所述温度控制电路的输入端与所述电池连接,所述温度控制电路的输出端与所述充电电路的温度反馈输入端连接,所述控制电路包括所述电源输出端和控制输出端。

更有选的,上述电源自动切换电路包括侦测电路和控制电路,所述侦测电路的输入端分别与所述外部电源、所述电池连接,所述侦测电路的输出端与所述控制电路的输入端连接,所述处理电路的输出端与所述控制电路的输入端连接。

进一步的,上述侦测电路包括外部电源侦测电路、电池侦测电路和处理电路,所述外部电源侦测电路的输入端与所述外部电源连接,所述外部电源侦测电路的输出端与所述处理电路的输入端连接,所述电池侦测电路的输入端与所述电池连接,所述电池侦测单元的输出端与所述处理电路的输入端连接。

更进一步的,上述外部电源侦测电路由电阻R1、R2和电容C1构成,所述电池侦测电路由电阻R3、R4和电容C2构成,所述处理电路设置为比较器A1;

所述电阻R1的一端与外部电源连接,电阻R1的另一端与电阻R2、电容C1的一端以及比较器A1的正端连接,所述电阻R2、电容C1的另一端接地;

所述电阻R3的一端与电池正极连接,电阻R3的另一端与电阻R4、电容C2的一端以及比较器A1的负端连接,所述电阻R4、电容C2的另一端接地,

所述比较器A1的输出端与所述控制电路的输入端连接。

优选的,上述控制电路包括控制器CON1、二极管D1、场效应晶体管FET1和场效应晶体管FET2;

所述二极管D1的正极与外部电源连接,所述二极管D1的负极与场效应晶体管FET1的漏极连接,所述场效应晶体管FET1的栅极与所述控制器CON1的输出端105连接,

所述场效应晶体管FET2的漏极与电池的正极连接,所述场效应晶体管FET2的栅极与所述控制器CON1的输出端106连接,

所述场效应晶体管FET1的源极、所述场效应晶体管FET2的源极与所述供电电路的输入端连接,

所述控制器CON1设置有控制输出端102,所述控制输出端102与所述充电电路的充电控制端、所述温度控制电路的温度控制端连接。

更佳的,上述控制器CON1的型号为TPS2813。

另一优选的,上述供电电路由控制器U10、场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、电感L3、二极管D5、电阻R20、电阻R21及电容C10、C11、C12构成,

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