[实用新型]可降低待机损耗的电源转换器

说明书

技术领域

本实用新型是与电源转换的技术有关，特别是指一种可降低待机损耗的电源转换器。 

背景技术

现有的直流对直流转换器(DC/DC converter)在进行电源转换的过程中会有功率损耗，此功率的损耗降低了转换的效率。 

然而直流对直流转换器在功率密度的要求上日益增加，为了提高其转换效率，目前广泛使用的方式是在变压器的二次侧以功率金氧半场效晶体管(power MOSFET)做为同步整流开关元件。此种方式确实可以提高重载时的效率，但是因为增加了驱动时的功率损失，所以在无载时仍然有功率上的损耗，造成了无载时的效率较低。 

美国第US7,443,146号专利，即揭露了在二次侧以MOSFET来进行整流的技术，其具有上述在无载时仍有功率上的损耗的缺失。 

发明内容

本实用新型的主要目的在于提供一种可降低待机损耗的电源转换器，其可降低电源转换器在无载模式下的功率损耗，具有节能的功效。 

为了达成前述目的，依据本实用新型所提供的一种可降低待机损耗的电源转换器，包含有：一直流电源，具有一正极端以及一负极端；一第一变压器，具有一一次侧以及一二次侧； 

其中，该一次侧的一端连接于该直流电源的正极端，且该一次侧具有：一第一电控开关，具有一控制端，且连接于该一次侧的另一端；一电流侦测及转换单元，连接于该第一电控开关以及该直流电源的负极端，侦测由该一次侧经过该第一电控开关所传来的电源，并转换为一交流电压讯号以及一直流电压讯号，而分别借由一交流讯号端以及一直流讯号端输出；一功率控制器，连接于该交流信号端以及该第一电控开关的控制端；一电压侦测及控制单元，连接于该直流讯号端，侦测该直流讯号端的电压，该电压侦测及控制单元具有一电压输出端； 

该第一变压器的二次侧具有：一同步整流电路，具有一电压控制端连接于该电压输出端；两个MOSFET(金氧半场效晶体管)，连接于该同步整流电路，这两个MOSFET分别具有一内部二极管(Body Diode)；以及一振荡回路，一端接地，另一端连接于该二次侧的一端，且该振荡回路用以连接于一负载，该振荡回路并且具有一回授端连接于该功率控制器。 

借由上述电路结构，可由该电流侦测及转换单元以及电压侦测及控制单元的转换电路来达到降低无载时的功率损耗，进而具有节能的功效。 

附图说明

图1是本实用新型第一较佳实施例的电路示意图。 

图2是本实用新型第一较佳实施例的电路结构图。 

图3是本实用新型第二较佳实施例的电路结构图。 

图4是本实用新型第三较佳实施例的电路结构图。 

具体实施方式

为了详细说明本实用新型的构造及特点所在，兹举以下较佳实施例并配合图式说明如后，其中： 

如图1至图2所示，本实用新型第一较佳实施例所提供的一种可降低待机损耗的电源转换器10，主要由一直流电源11、一第一变压器T₁、一第一电控开关Q₁、一电流侦测及转换单元26、一功率控制器31、一电压侦测及控制单元36、一同步整流电路41、两个MOSFET(金氧半场效晶体管)Q₂，Q₃、以及一振荡回路51所组成，其中： 

该直流电源11，具有一正极端12以及一负极端13。 

该第一变压器T₁，具有一一次侧N₁以及一二次侧N₂。 

其中，该一次侧N₁的一端连接于该直流电源11的正极端12，且该一次侧N₁具有：该第一电控开关Q₁、该电流侦测及转换单元26、该功率控制器31、以及该电压侦测及控制单元36： 

该第一电控开关Q₁，具有一控制端G连接于该一次侧N₁的另一端。该第一电控开关Q₁为一MOSFET，其控制端即为栅极G，并以其漏极D连接于该一次侧N₁，源极S则连接于该电流侦测及转换单元26。