[实用新型]高频开关电源中半导体高热部件的结构有效
申请号: | 200920172599.1 | 申请日: | 2009-06-15 |
公开(公告)号: | CN201478994U | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 袁忠杰 | 申请(专利权)人: | 袁忠杰 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 方琦 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 开关电源 半导体 高热 部件 结构 | ||
1.高频开关电源中半导体高热部件的结构,半导体高热部件包括若干IGBT逆变管、高频整续流管、散热器等器件,其特征在于:IGBT逆变管、高频整续流管压装在散热器大面即功能面上,所述的散热器风道迎向风扇吹风方向,所述的IGBT逆变管、高频整续流管迎风扇吹风方向横向排列。
2.根据权利要求1所述的高频开关电源中半导体高热部件的结构,其特征在于所述的散热器风道方向与风扇吹风方向平行,有若干散热器迎风扇吹风方向横向均匀排列。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的高频开关电源中半导体高热部件的结构,其特征在于:有若干等电位IGBT逆变管、高频整续流管压装在1个或多个散热器大面即功能面上;若干不等电位IGBT逆变管、高频整续流管通过绝缘垫片压装在1个散热器大面即功能面上,或若干不等电位IGBT逆变管、高频整续流管压装在多个散热器上,且散热器之间相互绝缘。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置