[实用新型]用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置无效
申请号: | 200920169304.5 | 申请日: | 2009-08-21 |
公开(公告)号: | CN201590428U | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 侯仁义 | 申请(专利权)人: | 成都中光电阿波罗太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 邓继轩 |
地址: | 610207 四川省成都市双*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁控溅射 生产 cds cdte 太阳能电池 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置,属于太阳能电池的制备领域。
背景技术
化合物半导体镀膜太阳能电池作为一种新的能源材料正在得到迅速的发展,CdS/CdTe多晶镀膜太阳能电池由于具有成本低、性能稳定、工序简单等优点。同时也具有多晶镀膜化合物半导体,异质结器件等基本特点,是目前极有前途的太阳能电池之一。
CdS/CdTe太阳能电池的制备方法有近空间升华法,电沉积法、分子束外延、物理气相沉积法和化学水溶法等,目前大多采用近空间升华法,它有一定的优点,但也存在一些不足,如能耗高、基片温度高、不易大面积制作。
中国专利公开了CN101299443题为“一种柔性碲化镉镀膜太阳能电池结构”,CN101267007题为“超薄基片注射的碲化镉太阳能电池”,为了扩大电池的应用范围,加入石墨和金属解决导电性等不同目的。但工艺复杂、繁琐、成本高。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足而提供一种用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置,其特点是该装置通过对电压、电源、气压和距离控制,控制膜的质量,使用磁控溅射技术制作CdS/CdTe太阳能电池。
本实用新型的目的由以下技术措施实施:
用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置:
1.用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置由CdS/CdTe的形成装置,CdCl2热处理装置和背电极制作装置三大部分组成:
(1)CdS/CdTe的形成装置
CdS/CdTe的形成装置由进料仓、CdS镀膜仓、过渡仓、CdTe镀膜仓和出料仓组成,进料仓内设加热器和输送系统,输送系统通过CdS镀膜仓、过渡仓、CdTe镀膜仓和出料仓构成循环系统;仓与仓之间设隔离门,进料仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接;CdS镀膜仓内设CdS靶头,靶头一端与冷却水进口及靶头电源连接;靶头另一端与冷却水出口连接,输送系统上放置工件夹具,工件夹具固定工件,CdS镀膜仓的前、后设真空门,真空门与CdS镀膜仓的连接处设密封圈,CdS镀膜仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接;过渡仓内送输送系统,过渡工件,过渡仓外分别与真空系统、氩气系统和控制系统连接;CdTe镀膜仓内设CdTe靶头,其余部分设置和连接同CdS镀膜仓;出料仓的设置和连接同过渡仓全部仓位由支架支撑。
(2)CdCl2热处理装置
将上述装置形成的CdS/CdTe膜的工件用激光刻第二条线后进入CdCl2热处理装置,再用近空间升华法装置将CdCl2镀在CdS/CdTe面上。
(3)背电极制作装置
背电极制作装置由进料仓、ZnTe镀膜仓、过渡仓、Ni镀膜仓和出料仓组成,它与CdS/CdTe的形成装置基本相同,进料仓的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的进料仓,ZnTe镀膜仓的设置和连接同CdS镀膜仓、过渡仓的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的过渡仓,Ni镀膜仓的设置和连接同CdTe镀膜仓、出料仓的设置和连接同CdS/CdTe的形成装置的出料仓。
采用磁控溅射法将CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分别溅射到经清洗激光刻的导电玻璃工件上,用超声焊机焊上引出电极,用UV胶在电池背面涂覆约200~500μm厚的胶膜,经UV干燥机干燥后形成完整的太阳能电池。
附图说明
图1为CdS/CdTe膜的形成装置示意图。
图2为A-A剖示图。
1.进料仓,2.CdS镀膜仓,3.过渡仓,4.CdTe镀膜仓,5.出料仓,6.输送系统,7.工件,8.真空系统,9.加热器,10.氩气流量控制系统,11.支架,12.控制系统,13.CdS靶头,14.CdTe靶头,15.隔离门,16.密封圈,17.冷却水进口及靶头电源,18.冷却水出口,19.真空仓门,20.工件夹具。
图3为背电极制作装置示意图。
图4为A-A剖示图。
1.进料仓,2.ZnTe镀膜仓,3.过渡仓,4.Ni镀膜仓,5.出料仓,6.输送系统,7.工件,8.真空系统,9.加热器,10.氩气流量控制系统,11.支架,12.控制系统,13.ZnTe靶头,14.Ni靶头,15.隔离门,16.密封圈,17.冷却水进口及靶头电源,18.冷却水出口,19.真空仓门,20.工件夹具。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的