[实用新型]低电压射频微机电系统开关及其封装结构无效
| 申请号: | 200920160173.4 | 申请日: | 2009-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN201490302U | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
| 发明(设计)人: | 党兵;王国安 | 申请(专利权)人: | 党兵;王国安 |
| 主分类号: | H01P1/10 | 分类号: | H01P1/10;B81B7/02 |
| 代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 王德桢 |
| 地址: | 100082 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电压 射频 微机 系统 开关 及其 封装 结构 | ||
1.一种低电压射频微机电系统开关及其封装结构,其特征在于,包括:一射频微机电系统开关,其包括:依次交替水平设置于衬底材料(1)上的用于射频信号输入的底层电极(2)、用于提供驱动电压的底层驱动电极(3)、用于射频信号输出的底层电极(4)、用于提供驱动电压的底层驱动电极(5),所述的底层电极(2、4)及底层驱动电极(3、5)的上方设有一可上下弯曲的顶层电极(6),所述的顶层电极(6)和底层电极(2)之间通过一个竖立的侧柱(7)相连,所述的底层电极(4)上设有一层介电材料薄膜(8),所述的底层驱动电极(3、5)上各设有防止顶层电极与其相接触的绝缘隔离块(9);
一加盖层(10),覆盖于所述的射频机电系统开关上;
一密封层(11),覆盖于所述的加盖层(10)上。
2.根据权利要求1所述的一种低电压射频微机电系统开关及其封装结构,其特征在于,所述的加盖层(10)上开有腐蚀通道(12)。
3.根据权利要求1所述的一种低电压射频微机电系统开关及其封装结构,其特征在于,所述的加盖层(10)可以为一层气相可渗透高分子加盖层。
4.根据权利要求1所述的一种低电压射频微机电系统开关及其封装结构,其特征在于,所述的介电材料薄膜(8)和绝缘隔离块(9)的材料为二氧化硅或氮化硅。
5.根据权利要求1或4所述的一种低电压射频微机电系统开关及其封装结构,其特征在于,所述的介电材料薄膜(8)的厚度为小于1微米。
6.根据权利要求1所述的一种低电压射频微机电系统开关及其封装结构,其特征在于,所述的顶层电极(6)与底层驱动电极(3、5)及底层电极(2)之间为空气层,且其厚度大于1微米。
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