[实用新型]发光二极管改良无效
| 申请号： | 200920158185.3 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN201434258Y | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李建国;刘木莲 | 申请（专利权）人： | 亚德光机股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V5/04;F21V17/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发;艾 晶 |
| 地址： | 中国台湾桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 改良 | ||
1、一种发光二极管改良，其特征在于，该发光二极管的发光面上设有一光学座体，该光学座体设有一透镜以及基座，该基座设有一容置槽以及与该容置槽相通的开口，而该透镜固设于该基座上并与该开口相对，该光学座体藉由基座盖设固定于该发光二极管上。
2、如权利要求1所述的发光二极管改良，其特征在于，该发光二极管设有一座体以及发光晶片，该发光晶片设于该座体中，该座体并设有一可使该发光晶片光线射出的发光窗口。
3、如权利要求2所述的发光二极管改良，其特征在于，该光学座体的容置槽卡置于该发光二极管的座体上，并使该发光窗口与该开口相对。
4、如权利要求1、2或3所述的发光二极管改良，其特征在于，该发光二极管为表面黏着型低瓦数发光二极管。
5、如权利要求1、2或3所述的发光二极管改良，其特征在于，复数该发光二极管一步设置于一电路板上，形成一发光二极管模块。
6、如权利要求5所述的发光二极管改良，其特征在于，该电路板上设有复数线路，且各线路使各发光二极管形成电性连接。
7、如权利要求1、2或3所述的发光二极管改良，其特征在于，该透镜设有聚焦弧面。
8、如权利要求1、2或3所述的发光二极管改良，其特征在于，该透镜设有发散弧面。
9、如权利要求1、2或3所述的发光二极管改良，其特征在于，该透镜设有聚焦以及发散弧面。
10、如权利要求1、2或3所述的发光二极管改良，其特征在于，该光学座体同时组装有复数发光二极管。
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