[实用新型]新型巨磁阻集成电流传感器

权利要求书

1.新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于包括：位于基底上的4个GMR磁敏电阻单元及其电连接所构成的GMR惠斯通电桥、位于GMR惠斯通电桥上方的集成电流导线，所述的集成导线和GMR惠斯通电桥之间由一层绝缘层隔离。

2.根据权利要求1所述的新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于所述的GMR磁敏电阻单元是由GMR自旋阀材料刻蚀成的蛇形电阻组成。

3.根据权利要求2所述的新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于所述的GMR自旋阀材料是多层膜结构，包括自上而下依次排列的钉扎层、被钉扎层、非磁透明层和自由铁磁层。

4.根据权利要求3所述的新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于所述的自由铁磁层材料可为NiFeCo合金层、CoFe合金层或两种合金组合的复合层。

5.根据权利要求3所述的新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于所述的非磁透明层是Cu金属层。

6.根据权利要求3所述的新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于所述的被钉扎层可为NiFeCo合金层、CoFe合金层或排列次序为CoFe合金层/Ru金属层/CoFe合金层的复合层。

7.根据权利要求3所述的新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于所述的钉扎层可为IrMn合金层、NiMn合金层、PtMn合金层或CrPtMn合金层。

8.根据权利要求1-7任一权利要求所述的新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于所述的4个GMR磁敏电阻单元和集成电流导线上方设置有由高磁导率的软磁材料Ni、Fe、NiFe合金、NiFeB合金的一种或多种组成的软磁屏蔽层。

9.根据权利要求1-7任一权利要求所述的新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于所述的4个GMR磁敏电阻单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述的第一电阻和第三电阻位于集成电流导线的输入段，所述的第二电阻和第四电阻位于集成电流导线的输出段，所述的4个GMR磁敏电阻单元与集成电流导线的相对位置形成输出“推-拉结构”。