[实用新型]预防元件突返的电路无效
| 申请号： | 200920148980.4 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN201438457U | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 赵文贤 | 申请（专利权）人： | 盛群半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/60;H01L23/64;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 预防 元件 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种预防元件突返的电路，其特征在于，该电路包含一N型晶体管，并以其漏极区作为该双极晶体管的集电极，其源极区作为该双极晶体管的发射极，以及一半导体基板作为该双极晶体管的基极寄生形成一双极晶体管；
该电路还包括一阻抗元件，该阻抗元件耦合于该N型晶体管的源极端；
其中，该阻抗元件被选择一特定值使该寄生双极晶体管的基极及发射极间的半导体界面无法导通。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，该阻抗元件为一电阻。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，该阻抗元件为一P通道MOS晶体管。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，该P通道MOS晶体管通过一第一开关耦合至该N型晶体管的源极。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，该N型晶体管的漏极进一步通过一第二开关耦合至地。
6.根据权利要求3或4所述的电路，其特征在于，该第一开关及该第二开关由二个不重复的脉冲信号所控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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