[实用新型]一种单晶硅炉的温场稳定装置在审
| 申请号： | 200920147956.9 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN201501941U | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 冯焕培;朱仁德;刘旭峰 | 申请（专利权）人： | 北京京运通硅材料设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 稳定 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅炉的温场稳定装置，主要由石墨埚、石英坩埚、石墨热场、加热器、底部辐射装圆盘加热器和保温层所组成，其特征在于在传统的石墨热场即加热器底部，石英埚的垂直下方增加了一个散射形圆盘石墨发热装置，通过热辐射的原理向石墨热场的轴向辐射热量，减小温场的轴向温差。
2.按权利要求1所述的一种单晶硅炉的温场稳定装置，其特征在于：所述的圆盘加热器的直径与原有配套加热器的直径的长度比为1∶0.7~0.89。
3.按权利要求1所述的一种单晶硅炉的温场稳定装置，其特征在于：所述的圆盘的加热器的温区长度与圆盘的外内径差的长度比为：1∶0.8~0.87。
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