[实用新型]一种无源垂直射流发生器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种射流发生器，尤其是涉及一种垂直于物体表面的无源射流发生器。

背景技术

目前对于流动的控制或产生冲击气流的方法有多种，采用射流进行控制是很常用的主动控制手段。但大多数射流都需要额外气源，为此需配加复杂的气源设备(如各种形式的泵或引射装置)和管路，以及喷嘴等。虽然采用合成射流器可不需额外气源，但必须在流动表面加工孔洞以便气流喷出，而这种孔洞一般很小，极易被堵，导致射流器失效。总之，已有的从物体表面发出的射流一般都组件较多，不仅结构复杂，而且加工难度大或加工量大。

公开号为CN101070867的发明专利申请公开一种通过改变驱动信号上下半周期的时间比而产生高效合成射流的高效合成射流激励器。该激励器包括控制系统和执行系统；该控制系统具体包括微型计算机，A/D转换卡，可编程控制器PLC；该执行系统具体包括伺服电机，对心曲柄机构，振动器，腔体；该控制系统产生一种高效激励信号，控制和监视激励器工作，而该执行系统接收控制系统所发出的指令，按照指令信号工作；该控制系统中引入控制电机运转的可编程控制器PLC，从而使对心曲柄机构具有急回特性，使得射流吹气过程缩短，吸气过程延长，进而可以产生高效合成射流。

公开号为CN101066542的发明专利申请公开一种压电式合成射流器，包括硅基体、腔体、喷口、振动膜片和压电致动器，硅基体的下方是腔体，喷口位于腔体上方并与腔体贯通，振动膜片位于硅基体下表面，并在腔体的下方形成悬置薄膜，压电致动器位于振动膜片下表面中央，其特点是所述的压电致动器由压电材料，以及贴附于其上下表面的上电极和下电极构成。上述压电式合成射流器的制作采用电化学腐蚀法，在腔体位置制备多孔硅层，最后释放多孔硅形成腔体，采用感应耦合等离子刻蚀形成喷口，采用低压化学气相沉积法沉积硅振动膜片，采用溶胶-凝胶法制备压电薄膜，由于腔体、喷口、振动膜片和压电薄膜在同一个硅基体上加工完成，提高了合成射流器可靠性和一致性。

公开号为CN101330794的发明专利申请公开一种大气压介质阻挡放电产生低温等离子体射流装置，使用惰性气体及空气作为工作气体，将放电区域产生的等离子体以射流形式吹出，可解决平行平板型介质阻挡放电区域狭小和等离子体宏观温度高所导致的应用范围有限问题。该装置的结构为：空心管状连接头与空心介质管相连，绝缘介质覆盖的电极固定于介质管中央，环状电极紧贴于介质管的外壁，工作气体由流量计、止回阀经连接头进入介质管，等离子体被吹出形成等离子体射流。本实用新型具有等离子体宏观温度低、电子能量大、扩展范围广的优点，同时成本低廉、耗能小、可靠性高，可用于杀菌消毒、复杂形状材料表面改性、废气处理、臭氧合成以及放电光源等离子体物理化学领域。该装置使用惰性气体及空气作为工作气体，将放电区域产生的等离子体以射流形式吹出，虽然具有等离子体宏观温度低、电子能量大、扩展范围广、成本低廉、耗能小、可靠性高等优点，但是若用于流动控制，则显得比较复杂和困难。典型的大气压介质阻挡放电方式是普通的平行平板型，但因其放电区域仅限制在两极板之间的狭小区域，就其形式而言也不适合用于控制流动。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种无需气源的垂直于物体表面的无源垂直射流发生器。

本实用新型设有底板和交流电源。在底板的上表面覆有至少1条上表面电极，在底板的下表面覆有至少1条下表面电极；上表面电极与下表面电极均为同圆心的圆形条状并成对交错排布。同一对上表面电极和下表面电极的尺寸满足以下关系：R_i＞r_i，D₁＞D₂，D₂＞d₁，D₁-D₂＞D₂-(d₁+d₂)，其中，R_i为底板第i对电极的上表面电极的内侧半径，r_i为第i对电极的下表面电极的内侧半径，D₁为相邻上表面电极之间的距离，D₂为同一对电极的上表面电极的外侧与下表面电极的内侧之间的距离，d₁为同一对电极的上表面电极的宽度，d₂为同一对电极的下表面电极的宽度。各上表面电极电连接，各下表面电极电连接，上表面电极和下表面电极分别与交流电源的两输出端电连接；在底板下表面和下表面电极上设有电介质材料覆盖层。