[实用新型]光敏晶闸管输出型光耦合器无效
申请号: | 200920136647.1 | 申请日: | 2009-02-06 |
公开(公告)号: | CN201426114Y | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 陈巍;李小红;陈灿辉;王卫东 | 申请(专利权)人: | 厦门华联电子有限公司 |
主分类号: | H03K17/79 | 分类号: | H03K17/79 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人: | 渠述华 |
地址: | 361009福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光敏 晶闸管 输出 耦合器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光耦合器,特别是指一种光敏晶闸管输出型光耦合器。
背景技术
逻辑门和微处理器等低电流直流控制电路与交流功率负载之间的接口应用上多采用晶闸管输出型光耦合器。其具有低成本,有效,简单等优势。
该类光耦合器主要是做为交流开关、交流信号调节等用于电机及电路控制的交流负载上,光耦合器工作时两个主端要承受110V、220V、380V的交流电压(见图1),线路通断时可能会承受到高于或甚至数倍工作电压的浪涌信号电击。断态重复峰值电压是反映光耦合器承受浪涌冲击能力的重要指标。该指标主要取决于光耦合器内部光敏芯片的性能及产品的功能结构设计。
配合如图2所示,目前,光敏晶闸管输出型光耦合器的输出端的一端脚上1’设有一只光敏晶闸管即光敏芯片2’,对应的输入端的一个端脚3’上设有一个红外芯片4’的结构,二者处于相对应的位置,其断态重复峰值电压在800V~900V左右。对于一些特殊电路要求光敏晶闸管输出型光耦合器的断态重复峰值电压达到1200V以上,则只能采用两只光耦合器串联使用,如图3所示,以达到电路要求。这种用法体积大,串联的两只耦合器参数一致性由于分立选择等原因难以匹配一致,使用时仍会存在击穿等问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种光敏晶闸管输出型光耦合器,其具有体积小且用一只光耦合器实现需要两只光耦合器才能达到的断态重复峰值电压。
为实现上述目的,本实用新型的解决方案是:一种光敏晶闸管输出型光耦合器,其中在光耦合器输出端的一端脚上引线出两个端脚,其上分别设有光敏芯片,两光敏芯片在该输出端即以串联方式集成装配;对应在光耦合器输入端的两个端脚上对应上述端脚相对应的位置各延伸一拐脚,其上分别设有红外芯片。
采用上述方案后,由于单只光耦合器的光敏部分采用两只光敏晶闸管芯片串联集成装配,提高光敏晶闸管输出型耦合器的断态重复峰值电压至1200V以上,当其应用于特殊电路中时,不会增加体积同时保证该类产品参数的匹配和一致,安全确实,不会出现击穿等问题。
附图说明
图1是习用光耦合器的工作电路示意图;
图2是习用光耦合器的内部结构示意图;
图3是习用两只光耦合器串联的工作电路示意图;
图4是本实用新型光耦合器内部电路示意图;
图5是本实用新型光耦合器工作电路示意图。
具体实施方式
如图4、5所示,本实用新型的光耦合器的内部结构,是在光耦合器的输出端的一端脚1上引线出两个端脚11、12,其上分别设有光敏芯片2,两光敏芯片2在该输出端即以串联方式集成装配,对应在光耦合器输入端的两个端脚3上对应上述端脚11、12相对应的位置各延伸一拐脚31、32,其上分别设有红外芯片4,如此令单只光耦合器中即有两个光敏晶闸管,以形成的光敏晶闸管输出型光耦合器即可提高其断态重复峰值电压值。
由于单只光耦合器的光敏部分采用两只光敏晶闸管芯片2内部串联方式,提高了单只光耦合器的断态重复峰值电压值并保证该类产品参数的匹配和一致,同时可以不增加单只光耦合器的体积。
通过光敏晶闸管芯片2串联集成装配,提高光敏晶闸管输出型耦合器的断态重复峰值电压至1200V以上,当其应用于特殊电路中时,不会增加体积同时保证该类产品参数的匹配和一致,安全确实,不会出现击穿等问题。
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