[实用新型]一种半导体二极管芯片有效
| 申请号： | 200920135350.3 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN201383498Y | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 曾国修 | 申请（专利权）人： | 百圳君耀电子(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1、一种半导体二极管芯片，包括二极管芯片本体，其特征在于：所述二极管芯片本体上依次设有氧化层与玻璃钝化保护层。
2、根据权利要求1所述的半导体二极管芯片，其特征在于：所述二极管芯片本体上设有台阶。
3、根据权利要求1所述的半导体二极管芯片，其特征在于：所述台阶与台面之间的高度为5～20um。
4、根据权利要求1所述的半导体二极管芯片，其特征在于：所述二极管芯片台阶处PN结深大于台面处PN结深，其结深比为1.1-2。
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