[实用新型]监控靶面状态的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种镀膜靶面监控装置，尤其涉及一种对磁控溅射镀膜靶面进行监控的装置。

背景技术

镀膜玻璃如今已广泛应用于触摸屏领域和液晶显示领域，玻璃镀膜技术也日新月异。磁控溅射镀膜广泛应用于玻璃镀膜，特别是在大面积玻璃镀膜工业上，是主要镀膜方式。但是，磁控溅射镀膜技术中，要控制反应溅射，就要控制反应气体的流量。常用的控制方式有“中毒模式”、电压控制等。而大面积玻璃镀膜对膜层的均匀性要求很高，尤其是高端产品像触摸屏用高透ITO玻璃，对方阻、透过率、色差等都要求大面积的均匀。“中毒模式”下反应溅射速率很低，不适于多层膜的量产。而电压控制也只是配合二进制设计得布气方式单点控制靶面状态，对于大尺寸镀膜玻璃来说，明显不能实现整体均匀性。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是：克服现有磁控溅射镀膜技术中，不能精确控制反应气体的流量从而导致镀膜玻璃的镀膜不均匀，特别是大尺寸镀膜玻璃镀膜不均匀的技术问题。

本实用新型提供的解决技术问题的技术方案是：构建一种监控靶面状态的装置，包括检测等离子体表面光强的光纤系统、光电倍增器、磁控溅射阴极，还包括监控镀膜靶面状态的等离子光谱监控(Plasma EmissionMonitor，简称PEM)系统以及控制反应气体的气体控制系统，所述等离子光谱监控系统根据光纤系统传输的监控信号向气体控制系统发出指令控制压电阀的开度，从而控制反应气体流量。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述等离子光谱监控系统包括信息接收模块和信息处理模块，所述信息接收模块接收光电倍增器传输来的光纤系统检测的等离子体表面光强的信息，所述信息处理模块对所述信息接收模块接收的信息进行分析处理。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述气体控制系统的气管为二进制分布，所述二进制分布的气管在磁控溅射阴极末端和中间部分分别控制。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述控制磁控溅射阴极末端和中间部分气管的装置为压电阀门。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述磁控溅射阴极中间部分的气管分布为多层。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述多层气管分布为二进制分布，即第一层分隔成2¹个独立空间，由2¹个进气管分别供气，第二层分隔成2²个独立空间，由2²个进气管分别供气，依次类推，至符合气体控制系统需要为止。

本实用新型技术方案的技术效果是：通过构建一种监控靶面状态的装置，通过设置等离子光谱监控系统的信息接收模拟接收光电倍增器传输来的光纤系统检测的信息，由等离子光谱监控系统的信息处理模块进行分析处理，发出指令给气体控制系统进行气体控制，从而达到精确控制气体流量，使镀膜工艺更加稳定。

附图说明

图1为本实用新型连接结构示意图。

图2为本实用新型等离子光谱监控系统模块结构示意图

图3为本实用新型气管分布结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型技术方案进行进一步说明：

如图1所示，本实用新型构建一种监控靶面状态的装置，包括检测等离子体表面光强的光纤系统2、光电倍增器3、磁控溅射阴极1，还包括监控镀膜靶面状态的等离子光谱监控系统4以及控制反应气体的气体控制系统5，所述等离子光谱监控系统4根据光纤系统2传输的监控信号向气体控制系统5发出指令控制反应气体流量。

如图1和图2所示，光纤系统2将监控到的磁控溅射阴极1靶面的状态信息经光电倍增器3放大后传输给等离子光谱监控系统4，光谱监控系统4中的信息接收模块41接收光电倍增器3传输的信息，然后传输给信息处理模块42，由信息处理模块42进行分析处理，信息处理模块42根据分析结果与预设值进行比较，通过比较结果向气体控制系统5发出控制指令，控制气体的流量。