[实用新型]10MHz单层恒温晶振

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种单层恒温晶振，特别是一种对温度特性有特别要求的10MHz单层恒温槽高稳晶振。

技术背景

电信业3G业务启动以后，对交换机中主要晶振的要求普遍有所提高。例如其中一种需求量巨大的10MHz恒温晶振，在以25℃为参考温度时其温度特性要求达到±2.1×10^-9/(-10～+70)℃，考虑到企业内控指标，其温度特性要求最差应达到±1.5×10^-9/(-10～+70)℃。采用传统的温度补偿观念，如设置温度传感器采集了环境温度变化的信息，再设置相应电路去补偿晶振频率的变化。这种现有技术显然反应迟钝滞后，完全不能适应晶振的精度要求。所以，要达到上述指标是十分困难的。

发明内容

本实用新型的目的在于发明一种10MHz单层恒温晶振，可以简捷、有效地克服现有技术的不足，达到晶振的精度要求，以满足社会生产的需要。

本实用新型的目的可以通过以下措施来达到：

本实用新型的10MHz单层恒温晶振，由晶体振荡电路和控温电路、恒温槽组成。振荡电路和控温电路包括有B模抑制网络、运算放大器、功率加热管，其中B模抑制网络中有电感L2、电感L3；晶体安放在内附保温层的恒温槽体中与振荡电路电连接；振荡控温电路板底层安装有导热铜板；保温层包覆着的晶体及振荡控温电路板被封装在晶振外壳内。

所述的振荡电路中的运算放大器安放在恒温槽内；所述的振荡电路中的B模抑制网络中的电感L2与电感L3安装在振荡控温电路板底层，电感L2与电感L3的接地端与导热铜板电连接；所述的振荡控温电路中还设置有温度特性自补偿单元。

所述的B模抑制网络中的电感L2、电感L3与在电路板底层的导热铜板紧密热接触。

所述的温度特性自补偿单元是由电阻构成的分压器。

所述的分压器由电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R5构成，分压器一端与运算放大器的输出端电连接，分压器的分压输出端与变容二极管的正极电连接。

所述的分压器由电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R5构成，分压器一端与功率加热管的发射极电连接，分压器的分压输出端与变容二极管的正极电连接。

本实用新型10MHz单层恒温晶振通过温度特性自补偿单元直接利用环境温度改变时在电路中引起的工作状态变化的信息，去补偿晶振频率的变化，达到晶振的精度要求，以满足社会生产的需要。

附图说明

附图1是本实用新型的结构原理图。

附图2是本实用新型的电路图。

附图3是本实用新型另一种实施方式的电路图。

具体实施例

结合附图对本实用新型进行进一步的描述：

根据附图1、附图2或附图1、附图3可以看出，本实用新型的10MHz单层恒温晶振，晶体振荡电路和控温电路设在振荡控温电路板1上；振荡控温电路板1底层为接地面，接地面安装有导热铜板2；振荡控温电路板1、导热铜板2、晶体3电连接，并被保温层4包覆着并安装在晶振壳体5内。保温层4内设有恒温槽6。将对温度敏感的运算放大器从恒温槽外移到恒温槽内，可以降低温度变化对运算放大器的干扰；将对温度敏感的B模抑制网络中的电感L2和电感L3，由振荡控温电路板1的顶层移至底层接地面，紧密贴合在导热铜板2上，具有一定热容量的导热铜板2与电感L2和电感L3之间的热耦合很紧，且有共同的接地端，可以保证电感L2和电感L3处于温度较为稳定的状态，也就降低了温度变化的干扰。采取以上措施后，晶振的温度特性可以改善到(1.0±0.5)×10^-9/(-10～+70)℃。

根据附图2、附图3，本实用新型的一种10MHz单层恒温晶振，是在控温电路中设置了温度特性自补偿单元，可在不外加温度传感器的情况下，即利用环境温度改变时在电路中引起的工作状态变化的信息，去补偿晶振频率的变化。

所述的温度特性自补偿单元是由一组电阻构成的分压器。

附图2描述了作为温度特性自补偿单元的分压器的一端是与运算放大器IC4的输出端电连接，电阻R29、电阻R30构成为第一次分压器和电阻R31、电阻R5构成的第二次分压器得大约10mV的电压送至变容二极管D的正极对频率进行自补偿。

附图3则是将分压器的一端与功率加热管T3的发射极电连接，电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R5的电阻分压器从电压变化量中提取约10mV的电压，送至变容二极管D的正级，同样可以补偿晶振频率的变化。