[实用新型]一种多功能电源保护电路

权利要求书

1.一种多功能电源保护电路，其特征在于，所述电路包括依次并联连接的电源输入极性指示电路、第一电容、过压保护电路以及过流和欠压保护电路。

2.如权利要求1所述的多功能电源保护电路，其特征在于，所述电源输入极性指示电路包括第一电阻、第二电阻、双色发光二极管，所述第一电阻一端连接电源正极，另一端与所述双色发光二极管的负极连接；所述第二电阻一端与所述双色发光二极管的负极连接，另一端接地；所述双色发光二极管的一个正极与电源正极连接，另一个正极接地。

3.如权利要求1或2所述的多功能电源保护电路，其特征在于，所述第一电容的一端与电源正极连接，另一端接地。

4.如权利要求1所述的多功能电源保护电路，其特征在于，所述过压保护电路包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、稳压二极管以及第二电容；其中，所述第三电阻一端与所述第一三极管的基极连接，另一端与所述第二三极管的发射极连接；所述第四电阻一端与所述第一三极管的基极连接，另一端接地；所述第一三极管的集电极经所述第五电阻与所述第二三极管的发射极连接，发射极经所述稳压二极管接地；所述第三三极管的基极经所述第七电阻与第一三极管的集电极相连，同时经所述第二电容接地，发射极直接接地，集电极经所述第八电阻与所述第二三极管的基极连接；所述第六电阻的一端与所述第二三极管的发射极连接，另一端与所述第三三极管的集电极连接；所述第二三极管的发射极与电源正极连接。

5.如权利要求1或4所述的多功能电源保护电路，其特征在于，所述过流和欠压保护电路包括：第四三极管、第五场效应管、第六三极管、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、二极管以及第三电容，其中，所述第四三极管的发射极与所述第二三极管的集电极连接，基极经所述第十一电阻与所述第五场效应管的源极连接，集电极连接所述第六三极管的发射极；所述第五场效应管的栅极与所述第六三极管的集电极连接，源极经所述第九电阻与所述第二三极管的集电极连接；所述第六三极管的基极经所述第十三电阻与所述第五场效应管的漏极连接，发射极与所述第十五电阻一端连接；所述第十五电阻的另一端与所述二极管的正极连接；所述二极管的负极接地；所述第十电阻连接于所述第五场效应管的源极与栅极之间；所述第十二电阻一端与所述第四三极管的基极连接，另一端接地；所述第十四电阻一端与所述第六三极管的基极连接，另一端接地；所述第三电容一端与所述第六三极管的集电极连接，另一端接地；所述第五场效应管的漏极连接负载。

6.如权利要求5所述的多功能电源保护电路，其特征在于，所述第三电阻、第四电阻、第十一电阻、第十二电阻为±1％精度的电阻。

7.如权利要求5所述的多功能电源保护电路，其特征在于，所述第九电阻为±1％精度的功率电阻。

8.如权利要求4所述的多功能电源保护电路，其特征在于，所述第二三极管为低压降PNP型三极管。

9.如权利要求5所述的多功能电源保护电路，其特征在于，所述第五场效应管为功率P沟道金属氧化物半导体场效应管。