[实用新型]一种适用于宽输入电压范围的推挽变换器的同步整流电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及同步整流电源技术领域，尤其涉及一种适用于宽输入电压范围的推挽变换器的同步整流电路。

背景技术

近年来随着电源技术的发展，同步整流技术正在向低电压、大电流输出的DC/DC变换器中迅速推广应用。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。即使采用低压降的肖特基二极管(SBD)，也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。

现有的，如图1所示同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。有图2可以看出，宽输入电压范围，占空比Q1与Q2之间存在T间隔时间。输入范围越宽，T间隔时间越长。Q3与Q1同步、Q4与Q2同步，所以同步整流电路存在T间隔，间隔内续流走MOS管寄生体二极管，而体二极管压降大，导致驱动同步整流电路效率提升有限。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种适用于宽输入电压范围的推挽变换器的同步整流电路。

为解决上述技术问题，本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的。

一种适用于宽输入电压范围的推挽变换器的同步整流电路，包括：第一变压器(T1)、第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)；还包括：第二变压器(T2)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第五MOS管(Q5)和第六MOS管(Q6)，所述第二变压器(T2)副边的一端与第二二极管(D2)的阳极跨接，第二二极管(D2)的阴极与第四MOS管(Q4)的漏极相连；第六MOS管(Q6)的漏极与第二变压器(T2)副边的另一端相连，第二变压器(T2)副边的另一端与第一二极管(D1)的阳极跨接，第一二极管(D1)的阴极与第三MOS管(Q3)的漏极相连；第三MOS管(Q3)的漏极与第五MOS管(Q5)的栅极相连，第五MOS管(Q5)的漏极与第二变压器(T2)副边的一端相连。

其中，还包括第三电阻(R3)，第七电阻(R7)，第四MOS管(Q4)的漏极经第三电阻(R3)与第六MOS管(Q6)的栅极相连，第六MOS管(Q6)的漏极与第二变压器(T2)副边的另一端相连，第七电阻(R7)并联在第六MOS管(Q6)的漏极和源极之间。

其中，还包括第五电阻(R5)，所述第二变压器(T2)副边的一端经第五电阻(R5)与第二二极管(D2)的阳极相连。

其中，还包括第一电阻(R1)，所述第二变压器(T2)副边的另一端经第一电阻(R1)与第一二极管(D1)的阳极相连。

其中，还包括：电感(L1)、电极电容(C1)和第四电阻(R4)，第一变压器(T1)的副边分别与第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)的栅极相连，第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)的源极并联后与电极电容(C1)的阴极相连，电极电容(C1)的阳极经电感(L1)与第一变压器(T1)的副边中心抽头相连，第四电阻(R4)并联在电极电容(C1)的两端。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型通过二极管D1、D2给MOS充电并维持能量；通过MOS管Q5、Q6放掉Q3、Q4栅极电荷能量，由于MOS通态电阻极低，压降低，损耗小。大大提高效率。

附图说明

图1为现有的采用通态电阻极低的专用功率MOSFET的同步整流电路；

图2为图1电路时序图；

图3为本实用新型同步整流电路；

图4为图3电路时序图。

具体实施方式

为便于对本实用新型进一步理解，现结合附图及具体实施例对本实用新型进行详细描述。