[实用新型]快恢复二极管

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种快恢复二极管。

【背景技术】

随着电力电子技术的发展，各种变频电路、斩波电路的应用不断扩大，这些电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用有自关断能力的新型电力电子器件(例如GTO、MCT、IGBT等等)，都需要一个与之并联的且反向恢复时间较短的二极管，以通过负载中的无功电流，减小电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。

传统的二极管虽然具有较好的反向耐压性能，但是正向大注入的少数载流子的存在使得少子寿命较长，反向恢复时间相应较长，一般可达到几百纳秒。因此，传统的二极管不能满足实际工作的需要。

【实用新型内容】

有鉴于此，有必要针对上述问题，提供一种反向击穿电压高且反向恢复时间短的快恢复二极管。

一种快恢复二极管，所述快恢复二极管包括框架及焊接在框架上的至少一个芯片，所述快恢复二极管的反向恢复时间小于或等于150ns，反向击穿电压在180-300V之间。

优选的，所述快恢复二极管是单管。

优选的，所述快恢复二极管还包括键合丝、第一引脚、第二引脚、塑封外壳，所述第一引脚与框架是绝缘的，所述第二引脚与框架是导通的，所述芯片的阴极与框架连接，所述芯片的阳极通过键合丝与第一引脚连接。

优选的，所述快恢复二极管还包括键合丝、第一引脚、第二引脚、塑封外壳，所述第一引脚与框架是绝缘的，所述第二引脚与框架是导通的，所述芯片的阳极与框架连接，所述芯片的阴极通过键合丝与第一引脚连接，所述塑封外壳密封芯片和键合丝。

优选的，所述快恢复二极管是共阴对管。

优选的，所述快恢复二极管还包括键合丝、第一引脚、第二引脚、第三引脚、塑封外壳，所述至少一个芯片是第一芯片和第二芯片，所述第一引脚和第二引脚与框架是绝缘的，所述第三引脚与框架是导通的，所述第一芯片和第二芯片的阴极分别与框架连接，所述第一芯片的阳极通过键合丝与第一引脚连接，所述第二芯片的阳极通过键合丝与第二引脚连接，所述塑封外壳密封第一芯片、第二芯片及键合丝。

优选的，所述快恢复二极管是共阳对管。

优选的，所述快恢复二极管还包括键合丝、第一引脚、第二引脚、第三引脚、塑封外壳，所述至少一个芯片是第一芯片和第二芯片，所述第一引脚和第二引脚与框架是绝缘的，所述第三引脚与框架是导通的，所述第一芯片和第二芯片的阳极分别与框架连接，所述第一芯片的阴极通过键合丝与第一引脚连接，所述第二芯片的阴极通过键合丝与第二引脚连接，所述塑封外壳密封第一芯片、第二芯片及键合丝。

优选的，所述快恢复二极管采用TO-220封装。

上述快恢复二极管的反向恢复时间小于或等于150ns，反向击穿电压在180-300V之间，由此可见，上述快恢复二极管的反向击穿电压比传统的二极管要高，反向恢复时间比传统的二极管要短，可以很好的满足实际工作的需要。

【附图说明】

图1是快恢复二极管的内部结构原理图。

图2是快恢复二极管的示意图。

图3是快恢复二极管的封装成品图。

【具体实施方式】

图1是快恢复二极管的内部结构原理图。从内部结构看，快恢复二极管可分成单管和对管。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又分为共阴对管和共阳对管。图1(a)是单管的示意图，图1(b)是共阴对管的示意图，图3(c)是共阳对管的示意图。

图2是快恢复二极管的示意图。快恢复二极管20包括框架21、芯片22、键合丝23、第一引脚24、第二引脚25、第三引脚26、塑封外壳(图未示)。第一引脚24和第二引脚25与框架21是绝缘的，第三引脚26与框架21是导通的。

现以快恢复二极管20为共阴对管的情况进行说明。两个芯片22的阴极直接焊接在框架21上，两个芯片22的阳极分别通过键合丝23与第一引脚24和第二引脚25连接。即第一引脚24和第二引脚25是快恢复二极管20的阳极，第三引脚26是快恢复二极管20的阴极。单管和共阳对管的情况可依此类推。

下面对快恢复二极管20的生产工艺进行说明。

在芯片22的生产过程中采用了外延工艺和少子寿命控制技术。通过选择某种合适的深能级重金属杂质扩散在半导体中以降低少子寿命，提高反向恢复软度。常用的重金属杂质有金、铂、钯等。