[实用新型]基于SoC芯片的大功率电磁炉电路无效
| 申请号: | 200920132621.X | 申请日: | 2009-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN201418166Y | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
| 发明(设计)人: | 丘守庆;许申生;吕真;李鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市鑫汇科科技有限公司 |
| 主分类号: | H05B6/06 | 分类号: | H05B6/06;H02H9/04;F24C7/08 |
| 代理公司: | 深圳市汇力通专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王锁林;李保明 |
| 地址: | 518101广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 soc 芯片 大功率 电磁炉 电路 | ||
1、一种基于SoC芯片的大功率电磁炉电路,包括整流桥、滤波器、功率逆变电路以及控制单元,其特征在于:
所述控制单元采用SoC芯片,该芯片内集成有CPU、若干比较器、第二AC-DC转换器、分压电路、积分电路、反相器、过零检测电路及通信接口;
所述功率逆变电路为半桥谐振电路,所述SoC芯片片内的CPU输出互补脉冲信号和开关信号至外部的驱动电路推动半桥谐振电路工作;
进一步还包括:
自保护谐振跟踪电路,该电路包括所述SoC芯片片内的CPU、第二AC-DC转换器、分压电路、第二比较器、第三比较器和片外的谐振电流采样电路,采样的谐振电流经第二AC-DC转换器整流后,通过分压电路产生两路信号分别通过第二比较器、第三比较器输入CPU的两个输入端;
检锅电路,该电路包括所述SoC芯片片内的CPU、第一比较器和片外的谐振电流采样电路;
浪涌检测电路,该电路包括所述SoC芯片片内的积分器、第四比较器、反相器、以及片外的输入电流采样电路和第一AC-DC转换器,第一AC-DC转换器与输入电流采样电路连接,所述积分器的输入端与第一AC-DC转换器负输出端连接,输出端接所述第四比较器,第四比较器输出通过所述反相器接所述SoC芯片片内的CPU;以及
多点温度检测电路。
2、如权利要求1所述的基于SoC芯片的大功率电磁炉电路,其特征在于:所述多点温度检测电路包括第一炉面温度采样电路、第二炉面温度采样电路和IGBT温度采样电路,第一炉面温度采样电路的温度感应器安装于加热线圈盘的中心位置,第二炉面温度采样电路的温度感应器安装于加热线圈盘的盘中心与盘边缘之间且距离盘中心的距离为加热线圈盘半径的1/3-2/3。
3、如权利要求2所述的基于SoC芯片的大功率电磁炉电路,其特征在于:所述第二炉面温度采样电路包括至少两个温度感应器,它们均匀分布在加热线圈盘上以加热线圈盘中心为圆心、R/3-2R/3为半径的圆周上,其中R为加热线圈盘的半径。
4、如权利要求1所述的基于SoC芯片的大功率电磁炉电路,其特征在于:所述SoC芯片片外的第一AC-DC转换器的正输出端接所述SoC芯片片内的CPU一输入端,将采样电流输入CPU,用于确定电磁炉当前的功率。
5、如权利要求1所述的基于SoC芯片的大功率电磁炉电路,其特征在于:所述SoC芯片片内的CPU输出的互补脉冲信号为互补的两组PFM脉冲信号,脉冲信号的占空比均小于0.5。
6、如权利要求1所述的基于SoC芯片的大功率电磁炉电路,其特征在于:所述半桥谐振电路包括功率管IGBT1、功率管IGBT2、电磁线圈L0和电容C4、C7、C12、C13,功率管IGBT1的集电极接整流桥的正输出端,发射极接IGBT2的集电极及电磁线圈L0的一端,IGBT2的发射极接整流桥的负输出端,电容C7并接在功率管IGBT1的发射极和集电极之间,电容C13并接在功率管IGBT2的发射极和集电极之间,电容C4、C12串联后并接在整流桥的两输出端之间且公共端接所述电磁线圈L0的另一端。
7、如权利要求1所述的基于SoC芯片的大功率电磁炉电路,其特征在于:所述SoC芯片片内的通信接口为串行接口,该接口实现SoC芯片片内CPU与外部控制开关及显示器的通信。
8、如权利要求1所述的基于SoC芯片的大功率电磁炉电路,其特征在于:所述谐振电流采样电路通过电流互感器T3采样谐振回路中的电流,所述输入电流采样电路通过电流互感器T2采样电源交流输入回路中的电流。
9、如权利要求1所述的基于SoC芯片的大功率电磁炉电路,其特征在于所述SoC芯片具有以下功能引脚:互补脉冲信号和开关信号输出口,喇叭控制输出口,风扇控制输出口,IGBT温度采样输入口,第一、第二炉面温度采样输入口,过零检测输入口,市电电压检测口,谐振电流采样输入口,输入电流采样输入口,以及面板通信接口。
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