[实用新型]一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路

权利要求书

1.一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路，其特征在于，包括：开通回路、放电回路、加速回路、MOS管(Q1)、第九电阻(R9)、第十一电阻(R11)；

所述加速回路有第二电阻(R2)与第一电容(C1)串联组成，所述加速回路一端连接在PWM信号端，另一端与开通回路相连，开通回路经第九电阻(R9)与放电回路相连，放电回路经第十一电阻(R11)连接在MOS管(Q1)的漏极。

2.根据权利要求1所述的一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路，其特征在于，所述开通回路包括：第一三极管(V1)、第五三极管(V5)、第四电阻(R4)、第三电阻(R3)；第一三极管(V1)的集电极经串联的第四电阻(R4)和第三电阻(R3)与二极管(D1)的阴极相连，第五三极管(V5)的基极连接在第四电阻(R4)和第三电阻(R3)的中点。

3.根据权利要求1或2所述的一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路，其特征在于，还包括第一电阻(R1)，所述第一电阻(R1)并联在所述加速回路两端。

4.根据权利要求3所述的一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路，其特征在于，还包括：第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第十电阻(R10)、所述放电回路包括：第二三极管(V2)、第三三极管(V3)、第四三极管(V4)、第六三极管(V6)；第五三极管(V5)的集电极经第九电阻(R9)与第六三极管(V6)的发射极相连，第四三极管(V4)的集电极经串联的第八电阻(R8)与第十电阻(R10)连接在第六三极管(V6)的发射极上，第四三极管(V4)的基极与第三三极管(V3)的集电极相连，第七电阻(R7)一端与二极管(D1)的阴极相连，另一端连接在第四三极管(V4)的基极与第三三极管(V3)的集电极的中点，第四三极管(V4)的基极与第三三极管(V3)的基极与第二三极管(V2)的集电极相连，第二三极管(V2)的发射极经第五电阻(R5)与二极管(D1)的阴极相连，第二三极管(V2)的基极与第一三极管(V1)的集电极相连，第三三极管(V3)的发射极与第四三极管(V4)的发射极及第六三极管(V6)的集电极并联后连接在MOS管(Q1)的源极，第六电阻(R6)并联在第三三极管(V3)的基极与发射极之间，第五三极管(V5)的发射极与二极管(D1)的阴极相连。

5.根据权利要求4所述的一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路，其特征在于，还包括：第二电容(C2)、第三电容(C3)；

第二电容(C2)并联在MOS管(Q1)的栅极与源极之间，第三电容(C3)一端与二极管(D1)的阴极相连，另一端与MOS管(Q1)的源极的相连。