[实用新型]一种静电保护电路

权利要求书

1.一种静电保护电路，包括与静电点连接的至少一个N型场效应管NMOS，其特征在于，还包括串联连接的电阻和电容，所述电容剩下的一端与静电点连接，所述电阻剩下的一端与地连接；所述NMOS的漏极与静电点连接，源极和衬底分别与地连接、栅极与所述电阻和电容的连接节点连接。

2.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述NMOS漏端面积大于源端和栅端的面积之和。

3.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述的电容是金属电容或者是MOS电容。

4.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述的电阻是阱电阻。

5.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述电容是容值可调节的电容。

6.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述电阻是阻值可调节的电阻。

7.如权利要求1至6任一项所述的静电保护电路，其特征在于，所述NMOS具有第一漏端和第二漏端，在NMOS沟道方向生长有第一漏端，与源端和漏端组成传统的NMOS；在所述传统的NMOS的一侧生长有与第一漏端连接的第二漏端，所述第二漏端分别与栅端和源端隔离。

8.如权利要求1至6任一项所述的静电保护电路，其特征在于，包括由多个NMOS并联组成的NMOS组，所述NMOS组的漏极与静电点连接，源极和衬底分别与地连接、栅极与所述电阻和电容的连接节点连接。

9.如权利要求8所述的静电保护电路，其特征在于，所述NMOS的数量为4到10个。