[实用新型]单颗大功率LED灯

说明书

技术领域

本实用新型属于光电技术领域，具体为单颗大功率LED灯。

背景技术

传统的LED灯以铝基板作为支架，虽然生产成本较低，但铝基板仅能使用于0.25瓦功率以下的LED产品，所发出光亮度等级只能达到300-500mcd，一直停留在低层级小范围发光产品的应用，应用范围受局限；且热传导系数小，散热速度慢，影响产品的使用寿命。

实用新型内容

针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型的目的在于设计提供一种散热速度快的单颗大功率LED灯的技术方案，其发光亮度大，可长时间正常工作，使用寿命长。

所述的单颗大功率LED灯，包括竖立设置的基板，基板表面设置软性电路层，基板顶部配合设置大功率LED芯片，大功率LED芯片通过金线与软性电路层电路连接，其特征在于基板中部设置穿透的通孔，通孔中穿接设置镀银铜棒，镀银铜棒顶部与大功率LED芯片底部触接配合，基板外部配合设置灯罩套，灯罩套与基板之间的空腔中填充树酯体封装配合。

所述的单颗大功率LED灯，其特征在于所述大功率LED芯片的功率为1w。

所述的单颗大功率LED灯，其特征在于所述的镀银铜棒为中部断开的结构，上下两根棒体之间触接配合，上部的棒体与大功率LED芯片底部触接配合，下部的棒体用于和外部的连接板配合连接。

所述的单颗大功率LED灯，其特征在于灯罩套的直径为6mm，基板宽度为5mm，基板厚度为1.5mm，通孔直径为0.9mm，大功率LED芯片为1.0mm。

所述的单颗大功率LED灯，其特征在于所述的镀银铜棒由铜棒表面镀银层构成。

所述的单颗大功率LED灯，其特征在于通孔两侧的基板顶部对称设置金道隔离凹槽。

所述的单颗大功率LED灯，其特征在于镀银铜棒顶部与大功率LED芯片底部之间设置银胶体。

所述的单颗大功率LED灯，其特征在于基板由铝、铜或铝银铜合金材料制成。

上述单颗大功率LED灯，通过在基板中部的通孔中穿接设置镀银铜棒，镀银铜棒顶部与大功率LED芯片底部触接配合，使热传导系数大幅提升，能有效而快速的传热散热，使大功率LED可长时间正常工作，不会因温度升高而老化光衰，延长了产品的使用寿命；并在基板外部配合设置灯罩套，灯罩套与基板之间的空腔中填充树酯体烤硬制成6mm的LED灯，大功率LED芯片选用1w等大功率芯片，其发光亮度大可达到70流明/瓦，大幅度的提升产品的亮度，有效发光面积大，适用于制作高亮度、高清画面的特大尺寸LED屏幕产品，其显示效果好，产品质量稳定、可靠。如果采用铝银铜合金材料制成基板，则能再提升散热速度，进一步保障了产品质量。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型侧向剖视结构示意图；

图3为基板与LED芯片连接结构示意图；

图中：1-灯罩套、2-基板、3-树酯体、4-大功率LED芯片、5-金道隔离凹槽、6-通孔、7-软性电路层、8-镀银铜棒、9-金线、10-银胶体。

具体实施方式

以下结合说明书附图对本实用新型作进一步说明：

如图所示，该单颗大功率LED灯，包括竖立设置的基板2，基板2表面设置软性电路层7，基板2顶部配合设置大功率LED芯片4，大功率LED芯片4通过金线9与软性电路层7电路连接。LED芯片4设置在竖立的基板2顶部，使得LED芯片4有大角度发光效果。所述大功率LED芯片4的功率为1w。

基板2中部设置穿透的通孔6，通孔6中穿接设置镀银铜棒8，镀银铜棒8顶部与大功率LED芯片4底部触接配合，基板2外部配合设置灯罩套1，灯罩套1与基板2之间的空腔中填充树酯体3封装配合。通孔6两侧的基板2顶部对称设置金道隔离凹槽5。灯罩套1的直径为6mm，基板2宽度为5mm，基板2厚度为1.5mm，通孔6直径为0.9mm，大功率LED芯片4为1.0mm。所述的镀银铜棒8为中部断开的结构，上下两根棒体之间触接配合，上部的棒体与大功率LED芯片4底部触接配合，下部的棒体用于和外部的连接板配合连接。所述的镀银铜棒8由铜棒表面镀银层构成。镀银铜棒8顶部与大功率LED芯片4底部之间设置银胶体10。