[实用新型]一种用于硅单晶生长的坩埚无效
| 申请号： | 200920115886.9 | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN201362752Y | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李乔;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312300浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅单晶 生长 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于定向凝固法生长硅单晶的坩埚，包括坩埚主体(4)，其特征在于：在坩埚主体(4)底部设有籽晶套管(3)。
2、如权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述坩埚主体(4)的截面为圆形或方形。
3、如权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述籽晶套管(3)设置在坩埚主体(4)底部的中心位置。
4、如权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述籽晶套管(3)为筒状，其内部与坩埚主体(4)内连通。
5、如权利要求4所述的坩埚，其特征在于：所述籽晶套管(3)截面积为0.5～150mm2，长度为50～400mm。
6、如权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述籽晶套管(3)在靠近坩埚主体(4)部分至少有一段直径收缩形成缩口段。
7、如权利要求6所述的坩埚，其特征在于：所述缩口段的两端与籽晶套管(3)的其它部分通过直径渐变的过渡段连接。
8、如权利要求7所述的坩埚，其特征在于：所述缩口段的截面积为0.25～100mm2，缩口段及其两端过渡段的总长度为10～300mm。
9、如权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述籽晶套管(3)远离坩埚主体(4)的一端密封。
10、如权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述坩埚主体(4)的内表面带有Si3N4涂层。
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