[实用新型]自检测硅微机械电容式麦克风无效

专利信息
申请号: 200920114252.1 申请日: 2009-02-20
公开(公告)号: CN201365340Y 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: 董健;计时鸣;王伟;张立彬 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: H04R19/01 分类号: H04R19/01;H04R19/04;B81B7/02
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 代理人: 王 兵;黄美娟
地址: 310014*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 检测 微机 电容 麦克风
【权利要求书】:

1、1、自检测硅微机械电容式麦克风,包括作为电容极板的敏感膜和金属铜底板、设有声波传入通道的硅基体;所述的敏感膜的周边通过绝缘层固定在所述的硅基体上,所述的敏感膜的底面朝向所述的声波传入通道;所述的底板上分布有通气孔,所述的底板通过连接座固定在所述的硅基体上,所述的底板位于所述的敏感膜的正上方,所述的底板和所述的敏感膜之间有空气隔层;所述的连接座与所述的硅基体之间为绝缘层;

其特征在于:所述的底板由第一支板、第二支板、第三支板拼接而成,所述的第一支板和所述的第二支板之间有第一间隙,所述的第二支板和第三支板之间有第二间隙;所述的支板分别通过连接支座固定在所述的硅基体上,所述的支板分别通过所述的连接支座与一引线端连接;所述的敏感膜上设有敏感膜引线端。

2、如权利要求1所述的自检测硅微机械电容式麦克风,其特征在于:所述的通气孔呈蜂窝状排列。

3、如权利要求2所述的自检测硅微机械电容式麦克风,其特征在于:所述的敏感膜为正方形,所述的金属铜底板的边长为所述的敏感膜的边长的80%。

4、如权利要求3所述的自检测硅微机械电容式麦克风,其特征在于:所述的敏感膜依次包括第一氮化硅层、参杂硼的多晶硅层,第二氮化硅层。

5、如权利要求4所述的自检测硅微机械电容式麦克风,其特征在于:所述的绝缘层为低应力氧化硅层。

6、如权利要求5所述的自检测硅微机械电容式麦克风,其特征在于:所述的硅基体上设有封装接点。

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